最新刊期
      1981年第2卷第1期

        发光的一般问题

      • n-Ga1-xAlxAs的能带结构和Hall迁移率

        黄美纯
        1981, 2(1): 1-10.
        摘要：本文提出一种分析三元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法.详细描述了GaAlAs电子迁移率变化与能带结构的关系.在导带Γ-L-X三能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对GaAlAs进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好.理论曲线与实验的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数.研究表明,至今了解很少的L带迁移率在1200～600cm2/v·s之间变化,同时确认,在0.15<x<0.6的Al组分区,L带对霍尔迁移率起着重要作用,它使迁移率由Γ带之值过渡到X带之值的速率变慢.  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 张新夷, C. Hirlimann, M. Kanehisa, M. Balkanski
        1981, 2(1): 11-20.
        摘要：实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 铁族离子的双ζ型径函

        夏上达
        1981, 2(1): 21-30.
        摘要：本文给出了用3d电子的双ζ型Richardson径函计算光谱的Racah参量A,B,C和旋轨耦合参量ξ3d的一般数学表示式及其实用近似计算方法.用此方法计算了全部二价和三价铁族离子的这些参量,发现ξ3d的计算较用Slater径函有显著的改进;但C/B 3.6～3.8,比实验值小得较多,是此径函的一个局限.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 关于Eu2+的f—f跃迁

        石春山
        1981, 2(1): 39-46.
        摘要：文章综述了Eu2+在某些基质化合物中的f-f跃迁.在考察文献数据基础上,总结出Eu2+在氟化物(或氧化物)中产生f-f跃迁的某些规律性,并根据电负性、配位数及离子半径等提出一种判断Eu2+产生尖峰结构光谱的经验方法.在缺少结晶学数据情况下,该方法有可能用来预测Eu2+产生线状峰的新基质化合物.镧系离子的电子结构早已为人们所熟知.三价铕离子(Eu3+),有六个自旋平行的4f电子[1、2、3].根据洪德规则,Eu3+很容易变成Eu2+,4f壳层呈现半充满状态(4f7),获得与Gd3+具有相同的电子构型,从而趋于稳定.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        阴极射线发光

      • 硫氧化钇磷光体中Tb3+与Dy3+离子间的能量传递

        刘行仁, 申五福, 马龙
        1981, 2(1): 31-38.
        摘要：在254nm紫外光和CR激发下,研究了在Y2O2S:Tb磷光体中,加入Dy后,它们的发射光谱、激发光谱、及Tb3+的5D3能级的荧光寿命发生的变化;以及这些变化与Dy浓度的关系.证实了在Y2O2S:Tb,Dy磷光体中,存在无辐射共振能量传递.讨论了发生能量传递的具体途径;Tb3+的5D3能级能量通过Dy3+离子传递给Tb3+的5D4能级,即5D3的发射被猝灭,5D4发射大大增强.在PL中Dy3+发射增强了,而在CL中相反.计算了传递效率和几率.从计算的临界传递距离R0数值～20Å,排除了交换传递.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        光致发光

      • 李有谟, 李继文, 刘书珍
        1981, 2(1): 47-51.
        摘要：新的一代日光灯用荧光粉即所谓三基色粉具备有高光效和高显色性的优点,近年来在走向应用上以及发展更合适的材料上受到重视.三基色粉中红和蓝的组分即掺Eu3+的氧化忆和掺EuZ十的多铝酸盐均称有100%的量子效率和合适的光谱特性[1],看来是合适的.而绿组分(即掺试的多铝酸盐)的量子效率只有80%[1],此外,掺试的多铝酸盐的制备需要约1500℃的高温[2],而且掺锹量也较高,约占产品重量的7.5%.给制备工艺带来不便和由于成本高而限制其应用.近年来有一些新的光致发光绿粉的报导你[3、4、5],但是一些硼酸盐的发光效率仍不高.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀土三基色荧光粉的合成、性质及应用

        徐燕, 黄锦斐, 王惠琴, 吴茂钧, 余兴海, 胡建国
        1981, 2(1): 52-62.
        摘要：自1942年至今,国内外荧光灯都以“卤粉”为主要发光材料,它的特点是光效高,但由于发射光谱在红色区域内辐射量不足,而蓝色辐射又过甚,致使荧光灯显色性较差,使被照射的实物颜色失真.前几年在卤粉中加入绿粉(硅酸锌锰)和红粉(锡激活的磷酸锶或锰激活的氟锗酸镁,砷酸镁等)使荧光灯的光色有较大的改进,但光效下降.长期以来光色和光效的矛盾,未能统一.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 磁性荧光粉的制备方法及其性能和应用的研究

        王洪滨
        1981, 2(1): 74-83.
        摘要：本文叙述了磁性荧光粉的制备方法、性能和使用方法;探讨了在制备过程中影响荧光亮度和磁力强度的一些主要因素;并研究了磁性荧光粉在水介质中使用时的分散情况.确定了制取优质磁性荧光粉的最佳条件,以及配制水磁悬液时所采用的分散剂的种类和条件.同时与日、美同类产品在技术性能上做了比较.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        与发光有关的实验技术

      • 氨分压对液相外延GaP材料的影响

        李桂英, 王亚芳, 谭浩达, 李进学
        1981, 2(1): 63-67.
        摘要：GaP是间接能隙的半导体材料,发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率,但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收,而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一,一般为8×1017～4×1018/厘米3[1][2][3].多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨,实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下,只改变氢气中的氨分压,进行液相外延生长,发现所生长的GaP外延片的氮峰强度,外延片表面平整度,外延片所制发光管的总光通量,功率效率和氨分压有关.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 重复稳定的掺氮磷化镓液相外延

        曹光胜, 丁祖昌, 华卫民, 吴国贤
        1981, 2(1): 68-73.
        摘要：本文简要地评述磷化镓外延生长技术,指出采用气相掺杂过补偿液相外延技术,适合于制备较高外量子效率的磷化镓绿色发光器件所需的外延生长层.从既能获得较高发光效率又能满足工业批量生产要求出发,设计制造了采用滑板技术及气相掺氮和掺锌的过补偿液相外延生长装置.装置具有结构简单,操作方便,便于控制等特点.应用该装置进行试验,总结了外延生长主要工艺和典型的生长条件.连续十余次外延生长的实验结果表明,所采用的液相外延生长技术,能稳定重复地生长出符合于制备较高外量子效率的绿色发光器件所需的掺氮磷化镓外延生长层.用该材料制成绿色发光二极管,当发光面积为500×500微米2,电流密度为12A/cm2时,总光通量一般大于10毫流明.最高的达到了19.85毫流明.由此说明,本文所报导的液相外延技术适合于工业上批量生产磷化镓绿色发光二极管.  
          
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        更新时间：2020-08-11

        其它

      • 矩阵式荧光显示屏特性和驱动方法

        葛世潮
        1981, 2(1): 84-92.
        摘要：1967年日本中村等首次利用ZnO:Zn的低能电子发光现象研制成分段式荧光数码管[1].1978年我们用同一原理制成了矩阵式荧光显示屏,并将其用于电视图象显示[2].此种矩阵屏也可用来显示数字、文字和图表等.本文将讨论其主要特性和驱动方法.  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • FR型(反射腔式)半导体数字管

        1981, 2(1): 95-95,83.
        摘要：最近广东省佛山市光电器材厂研制成功了FR型(反射腔式)半导体数字管,并开始批量投入生产.过去,国内半导体数字管多采用扁平型封装,数字每段由光刻法刻出四个并联的二极管芯.一个数字管七段连小数点共要29个管芯,功耗大(每段工作电流为20mA),视感面积狭小,工艺上均匀性、一致性控制很困难,成品率低,成本昂贵.因此,没有多大的实用价值,面临淘汰的局面.  
          
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        更新时间：2020-08-11
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