最新刊期
      1980年第1卷第6期

        论文

      • 粉末直流电致发光屏的改进

        罗晞, 周连祥, 张惠芬, 胡康祥
        1980, 1(6): 1-6.
        摘要：多年的实践证明DCEL屏的性能与发光材料和工艺条件有着密切的关系,因此探索提高材料性能的途径及改进发光屏的制备工艺对于全面提高直流电致发光屏的性能是很有意义的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn,Cu粉末直流场致发光(DCEL)屏的交流场致发光(ACEL)特性

        周连祥, 罗晞, 张惠芬, 胡康祥
        1980, 1(6): 7-14.
        摘要：众所周知,ZnS:Mn,Cu粉末DCEL屏在直流激发和低占空比的直流脉冲电压激发下具有非常好的发光特性。利用这些特性,DCEL屏在显示显像技术中已初露头角,前景十分喜人。但是,这些优良特性还不能完全反映出DCEL屏的可贵之处。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnSe:Mn发光二极管中发光中心的某些性质

        虞家琪, 金周哲, 董玉敏, 吕安德, 胡小朋, 黄高德
        1980, 1(6): 15-23.
        摘要：高场发光的研究是当前发光研究中活跃的领域之一,被认为是新的动向。对p-n结发光器件,通过大量研究已经知道,施主—受主对发光中心和等电子陷阱中心等是这一类低场发光器件的有效发光中心。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Cu单晶交流电致发光线的新现象

        杨左宸
        1980, 1(6): 24-28.
        摘要：在Zns:Cu单晶中,交流电致发光线是主要发光区。其次还有点状和带状发光区,而带状发光区多数发蓝色光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 正向电压激发下发蓝光的ZnSe发光二极管

        范希武, J. Woods
        1980, 1(6): 29-37.
        摘要：研究了用高纯ZnSe单晶制备的MIS二极管在正偏压下的电致发光发射光谱。室温时,在4655和4770Å处有二个强的蓝发射带,而在低温时观察到精细结构。在20°k时,自由激子和束缚激子的发射特别强,施主—受主对发射带(Q系列)及与之相伴的自由态到束缚态的发射也很明显。当温度升高时,束缚激子发射、D—A对带的发射、自由态到束缚态的发射都被猝灭,故在室温时只有两个蓝的发射带。证明了4655处的发射带和受导带中自由电子散射的自由激子的复合有关,4770Å处的发射带是自由激子的复合同时发射两个LO声子造成的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 铝酸盐磷光体中氟的测定

        王惠琴
        1980, 1(6): 38-41.
        摘要：选用发红光的氧化钇和发蓝、绿光的铝酸盐磷光体相互匹配,可制成光效高、显色性好的三基色荧光灯。为了制备磷光体,常常利用F~-降低反应温度,刺激晶粒生长。但最后得到的磷光体中氟化物的含量影响荧光灯的光效,并使流明衰退加剧,大大降低了灯的寿命。因此在制备磷光体中,严格控制含氟量是十分必要的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 宽禁带发光材料中的自补偿效应和避免自补偿的一些途径

        黄锡珉
        1980, 1(6): 42-49.
        摘要：为获得高效率的p-n结发光器件,在热平衡条件下掺杂时,会遇到自补偿效应,从而得不到反型导电性。因此,必须很好地了解自补偿效应并且寻找避免自补偿的途径。 自补偿,顾名思义,就是指当发光材料中因掺杂增加自由载流子浓度时,材料中会自发地产生带相反电荷的缺陷中心,补偿自由载流子的现象。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 激光荧光在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料及器件中的应用

        袁佑荣
        1980, 1(6): 50-56.
        摘要：利用激光作激发光源,研究Ⅱ—V族GaAs晶体,GaAs—GaAlAs外延晶体及半导体发光,激光器件的光致发光(PL)特性,可以获得有关材料、器件的缺陷、杂质的分布以及它们对发光复合过程的影响的知识,了解器件的退化过程和寻找制备长寿命器件的方法,选择器件制备的合理参数和条件以及研究有关复合的动力学过程。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 发自光的AC-EL薄膜器件

        猪口敏夫, 陈洪国
        1980, 1(6): 57-60.
        摘要：作者自1974年研制成功具有双层绝缘结构的AC-EL薄膜器件以来,主要从事ZnS:Mn橙黄色发光器件的研究与试制。由于实际应用的需要,迫切希望能够研制出发其它颜色光的薄膜器件,如民用电器中的彩色显示所必需的三基色发光,或黑自显示中的白色发光。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 磷化镓绿色发光二极管研制成功

        丁祖昌, 华伟民, 曹光胜, 吴国贤
        1980, 1(6): 61.
        摘要：浙江大学物理系发光二极管科研组,经过一年多时间的努力,完成了“掺氮磷化镓液相外延生长技术”和“磷化镓绿色发光二极管”两项研制成果。该两项成果鉴定会议于十月二十日至二十二日由浙江省电子工业局主持在杭州召开。全国从事这方面工作的研究所、高等院校、生产和应用的十八个单位,二十五名代表参加了这次会议。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • npnp Ga1-xAlxAs负阻发光二极管研究成功

        中国科学院长春物理所第五研究室四组
        1980, 1(6): 62.
        摘要：采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga1～sAl2As负阻发光二极管。其典型参数为阈值电压Vth:5～50v,阈值电流Ith<1mA,保持电压Vk～1.8v,保持电流Ik<3mA,反向击穿电压Vk40～100v,反向漏电流。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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