最新刊期
      1980年第1卷第5期

        论文

      • 卤磷酸钙荧光粉发光性能的改进和提高

        唐明道, 齐东涓, 岳肃中
        1980, 1(5): 1-7.
        摘要：锑、锰激活的卤磷酸钙荧光粉(以下简称卤粉)自1942年由麦基格发明作为荧光灯用荧光粉以来,一直沿用迄今,三十多年来人们对卤粉的发光机理进行了深入研究,并就其制备工艺、成分配比、颗粒控制、后处理等有关问题进行了大量研制、试验工作,使荧光灯光效由四十年代的40余流明/瓦提高到现在的75-85流明/瓦(冷白色、白色、暖白色荧光灯)、60-67.5流明/瓦(日光色荧光灯)。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高压液封直拉法生长GaP单晶

        邓志杰, 俞斌才, 刘锡田
        1980, 1(5): 8-12,7.
        摘要：利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;nTe,s～(2～15)×1017cm-3;μn～(86～134)cm2/sv;位错密度(1～4)×104cm-2。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用热压ZnSe晶体制备ZnSe:Mn肖特基发光二极管

        华玉林, 金少刚, 吕安德, 孙要武
        1980, 1(5): 13-20.
        摘要：近年来,在ZnSe:Mn肖特基发光二极管的研究方面取得了较大的进展。所采用的ZnSe晶体一般均为用不同方法制得的ZnSe单晶,或者用升华法制得的ZnSe多晶。目前二极管的亮度与效率等虽然达到了较高的水平,但还未完全达到实用阶段。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用氮离子注入制备znSe p-n结

        李仪, 蔡举新
        1980, 1(5): 21-25.
        摘要：ZnSe在室温下禁带宽度为2.67ev,有直接跃迁的能带结构,是良好的发光材料,但由于自补偿效应,通常只能得到n型一种导电类型,而难以得到p型。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 电压穿透式变色荧光体新方案

        李文连, 张兆祥
        1980, 1(5): 26-30.
        摘要：近年来,彩色显示变得越来越重要。虽然使用彩色电视CRT可以获得彩色图象,但由于这种管子的不同基色是分开的,因而,分辨率相当低,不能满足高信息密度的技术要求。为此,采用电压穿透式彩色(以下简称电压变色)显示管,其分辨率相当于目前黑白显像管的分辨率。实现电压变色有很多方案。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 化合物半导体固溶体的能带结构

        黄美纯
        1980, 1(5): 31-44.
        摘要：本文评述化合物半导体固溶体能带结构研究的若干新进展。着重讨论在发光物理及异质结器件应用上最受关注的等电子替代式赝二元合金及其带隙与合金组分的关系。在此基础上简要介绍等电子替代及化合物替代的四元合金系的带隙变化规律。讨论了关于带隙弯曲参数的三种主要理论模型,即介电模型、经验赝势模型及Hill模型。分析了这一领域研究中存在的问题和发展趋向。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 荧光谱线窄化和分时谱线窄化技术

        郭常新
        1980, 1(5): 45-58.
        摘要：目前,从国际上看,在发光学实验研究中,一个显著的特点是以激光为中心的新实验技术已由部分实验室采用发展到了普及的阶段。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 半导体的激光退火

        吴乐琦
        1980, 1(5): 59-66.
        摘要：虽然早在1968年就有人用激光辐照的方法制成了Si的p-n结[1],但直到1976年,离子注入半导体的激光退火才引起了人们的充分注意。由于看到了激光处理半导体这一课题不仅具有深刻的理论意义而且可能有重大的实用价值,故近几年来,美、苏、英、日、意等国开展了大量的研究工作。虽然尚未正式投入工业生产流程,但在激光退火、激光掺杂、激光合  
          
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        更新时间：2020-08-11
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