最新刊期

    1980年第1卷第4期

      论文

    • 用作扩锌源的二磷化锌晶体制备

      丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜
      1980, 1(4): 1-4.
      摘要:本文介绍用元素磷和锌在闭管真空石英管中合成ZnP2晶体的过程.X—射线检验证实一种是红色四方晶形ZnP2,另一种是黑色单斜晶形ZnP2.得到了用ZnP2源对GaP晶片扩散的初步结果.  
        
      110
      |
      86
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1560580 false
      更新时间:2020-08-11
    • ZnS:Cu场致发光线的位错特性

      虞家琪
      1980, 1(4): 5-18.
      摘要:在ZnS:Cu粉末交流场致发光研究中,发现彗星形的发光线以后,普遍认为发光线和位错有关.但是,发光线和位错的具体关系是什么至今没有进一步的实验证实,众说不一.A.G.Fischer认为发光线是沉积在位错线上的硫化亚铜相形成的[1].G.Bonfiglioli等人认为发光线是纯位错线[2].这一问题的解决是理解场致发光机理的一个关键问题.  
        
      94
      |
      79
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1560566 false
      更新时间:2020-08-11
    • GaAsP、GaAlAs发光二极管热激电容和热激电流的测量

      黄景昭, 陈金富, 黄启圣
      1980, 1(4): 19-23.
      摘要:本文简要介绍对GaAsP和GaAlAs两种发光器件进行热激电容和热激电流的测量.看重介绍用电桥电路和锁相放大器测量热激电容的方法,并对测量结果作了初步的讨论.  
        
      93
      |
      71
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1559975 false
      更新时间:2020-08-11
    • 汞探针容压法测定磷化镓中浅施主杂质浓度

      江炳熙, 周必忠, 胡志萍
      1980, 1(4): 24-30.
      摘要:本文描述了制备Hg-n-GaP表面势垒结构的工艺方法.采取真空(2×10-4乇)烘烤(120℃)GaP晶体的方法,消除了样品表面吸附的水分子和其它沾污.研究了肖特基二极管负偏压的容压特性,从它求得扩散电势等于1.26±0.06伏特.势垒高度测定值(φb=1.3(±0.06电子伏特)基本上符合于按文献经验公式的计算值;因而,按本文的工艺方法可以准确测定GaP晶体中浅施主杂质浓度.为了简化实验数据的处理,建议在一定负偏压下测量恒定面积的肖特基二极管的电容值来测定浅施主杂质浓度.  
        
      98
      |
      102
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1560574 false
      更新时间:2020-08-11
    • Judd—Ofelt模型及其应用

      吴光照
      1980, 1(4): 31-37.
      摘要:稀土离子激活的发光晶体在现代科学技术中有着广泛的应用.许多种发光粉、上转换材料及激光材料就是掺稀土离子的.三价自由稀土离子的4fN组态的电子波函数具有相同的宇称,没有电偶极辐射和吸收.当三价稀土离子掺入晶体后,看到了发光,对此早有一些定性的解释.Judd和Ofelt由其中一种解释即静态晶场引起相反宇称的组态混杂出发,推导了跃迁几率表达式,后来被称为J—O理论或J—O模型,用于对实际稀土发光体进行定量计算.  
        
      164
      |
      150
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1560562 false
      更新时间:2020-08-11
    • 发光中心的对称性(群论的应用)(续完)

      虞家琪
      1980, 1(4): 38-44.
      摘要:矩阵A和B分别是na和nb维矩阵,这两个矩阵的直积(或直接乘积)C=A×B是no=nanb维矩阵.  
        
      113
      |
      70
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1560570 false
      更新时间:2020-08-11
    • Ⅱ—Ⅵ族器件中的深能级

      柊元宏
      1980, 1(4): 45-52.
      摘要:Ⅲ—Ⅵ族化合物具有覆盖整个可见光范围的直接带隙,因此已有多种应用,特别是在光电探测器和发光器件方面.已广泛应用的有硫化镉光导管和电视荧光屏上的硫化锌发光粉.硫化锌电致发光板,即所谓EL屏,正在改进之中.最近我们从事于研制低压驱动的显示器件,如蓝色发光二极管和低压阴极射线显示器件.  
        
      108
      |
      71
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1559971 false
      更新时间:2020-08-11
    • 用电致发光屏制作文字、数字显示器

      冈元谦次, 黑濑健吾, 田中省作, 小林洋志, 笹仓博, 陈洪国
      1980, 1(4): 53-62.
      摘要:随着现代信息化社会的发展,连接人与信息的显示器件日益引人注目.显示器件包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示屏(PDP)、液晶显示屏(LCD)、电致发光屏(EL屏)等.在这些显示器件中,CRT有以下几个缺点:(1)管身长;(2)真空器件易损坏;(3)难于克服扫描畸变;(4)电压高.然而CRT能用电子透镜系统把电子束聚焦偏转,使所需象元发光,并且方便,所以至今仍作为显示的主流而广泛使用着.  
        
      97
      |
      79
      |
      0
      <HTML>
      <网络PDF><Meta-XML>
      <引用本文> <批量引用> 1559962 false
      更新时间:2020-08-11
    0