最新刊期
      1980年第1卷第2期

        论文

      • 赴日参观考察汇报

        许少鸿, 罗晞, 郑知龙
        1980, 1(2): 1-10.
        摘要：长春物理所于1979年11月组成了发光材料参观考察组,从11月29日到12月10日在日本参观访问了11个发光研究单位:东京大学固体物理研究室、东京大学电子工程系青木研究室、东京工业大学电子物理系高桥研究室、东京工业大学成象科学研究所的柊元宏研究室、大阪大学基础工学部浜川研究室、鸟取大学工学部笹仓研究室、霞浦公司中央研究所、化成Optonix小田原工场、日立公司中央研究所、东芝公司综合研究所、索尼公司中央研究所。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • n型Ga1-xAlλAs中Te施主能级组分关系近似计算

        黄美纯
        1980, 1(2): 11-16.
        摘要：本文报告了用二能谷近似法计算n型GaAlAs中Te施主能级随Al组分的变化。理论结果与实验数据符合得很好说明,Koster-Slater型相互作用常数势可用于近似地描述GaAlAs系统中的深施主杂质。本文还讨论了不同带边结构和参数对施主电离能组分关系的影响,认为对该电离能变化曲线线形的分析,可作为判定混晶系统带边结构类型的一种参考手段,线形的突变点代表不同对称性带边的交叉。对Te电离能的分析表明,GaAlAs的带边参数随组分变化非常接近线性。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Cu单晶中交流电致发光线的导电性和成分的研究

        谢玉钧, 杨左宸
        1980, 1(2): 17-20.
        摘要：本文用电解法证明了,在ZnS:Cu单晶中电致发光线是导电的。晶体中除了有发光的导电线外,还有不发光的导电线。化学分析表明,这些导电线是富铜的。ZnS:Cu单晶交流电致发光的显微观察已表明[1],在晶体中,发光是不均匀的。发光体是分布在晶体内部的一些线,即所谓的发光彗星。关于这种发光线,前人提出了多种模型[2-5]。在这些模型中,一致假设发光线是导电的;而对发光线与Cu的关系则说法不一。但迄今都没有直接用实验加以证明。本工作是用电解法直接证明了交流电致发光线是导电的。化学分析表明,这些导电线是富Cu的。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS:Mn、Cu粉末直流场致发光(DCEL)形成过程的可逆性质

        周连祥, 罗晞, 胡康祥, 张惠芬
        1980, 1(2): 21-25.
        摘要：DCEL的形成过程一向被认为是不可逆的,对这一点从未有人提出过疑义。目前,人们普遍地把形成过程归结为是由于Cu+迁移所引起的一系列物理过程(主要表现为发光屏的电阻急剧增加,激发电流急剧下降;在首次激发时光辐射的产生比激发有一时间延迟以及特有的亮度衰减等)。但我们在实验中也看到了与形成过程相反的过程,即一定程度上电阻的下降,电流的增加以及亮度上升和发光屏状态某种程度的恢复。这些现象可以用Cu+的反向迁移很好地加以解释。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 发光晶体微区光电特性的扫描电子显微镜分析

        刘耀忠, 张志舜
        1980, 1(2): 25-29.
        摘要：扫描电子显微镜可对固体样品进行形貌观察、微区成份分析、晶体结构分析,这已为人们所熟知。然而在微区光、电、磁特性分析方面它还有巨大潜力。发掘这种潜力可以得到发光晶体微区光电特性、晶体完整性及能带结构的信息[1]。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 用荧光染料制备红色和白色场致发光屏

        虞家琪, 孙玉琴
        1980, 1(2): 29-33.
        摘要：目前比较成熟的EL红材料是(Zn、Cd)(S、Se)系材料。这种材料的发射光谱很宽。为了减少光谱中短波成分,得到比较红的颜色,只好把发射光谱移向长波。由于视觉灵敏度在长波区域很快下降,材料的发射光谱越向长波移动,亮度就越低。为了解决“红”与“亮”的矛盾,一方面是寻找新材料,但这方面工作尚不成熟,另一方面把荧光染料用于场致发光,可以改善色度和提高亮度。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • Ⅲ—Ⅴ族化合物发光材料中杂质与缺陷的测量方法

        黄启圣, 陈金富
        1980, 1(2): 34-45.
        摘要：微量的杂质、缺陷或其复合体对半导体的物理性质有明显的影响,它们在禁带中形成浅杂质能级或深能级。本文综述关于浅能级的发光分析方法以及关于深能级杂质态的测量方法。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 双共振方法及其应用

        王敬伯
        1980, 1(2): 46-56.
        摘要：双共振系指样品同时受到两种共振场辐照时的一种波谱学方法,它与单共振法相比有明显的优点:由于引入了附加的选择定则和“量子转换”使分辨本领和灵敏度大大提高。双共振在射频、微波、红外、可见直到紫外的几个频段上都可以实现。我们介绍几种与电子自旋共振(ESR)有关的双共振基本原理,着重叙述研究固体激发态的光检测磁共振(ODMR)的原理和几种典型的实验装置。同时也概要地介绍双共振方法的应用。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 发光中心的对称性(群论的应用)

        虞家琪
        1980, 1(2): 57-61.
        摘要：把一个杂质离子放在晶体中的不同位置上,杂质离子周围的最近邻离子和次近邻离子有各种几何构型和化学本质。例如Cu1+离子替位Zn2+离子,最近邻的四个S2-离子构成一个正四面体,如图1所示。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 激光退火机理

        波特
        1980, 1(2): 62-63.
        摘要：自从苏联人开始研究激光退火以来,进行了许多工作去研究其现象,考查其用于半导体加工的潜力。此文中评述了激光退火用于处理离子注入产生的损伤,重长沉积的Si层,以及金属膜和半导体产生反应的机理。目前有两种不同的方法。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 纯绿色的无氮GaP发光二极管

        西泽
        1980, 1(2): 63-64.
        摘要：通常,液相外延生长的GaP发光二极管用渐冷法制成,并用氮作为发光中心以提高其发光效率。如我们过去发表的报告中所述,生长时温度的变化对外延层晶体质量有坏影响。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 连续激光束与电子束扫描应用于半导体加工

        吉本斯
        1980, 1(2): 64.
        摘要：从简单的理论说来,半导体表面可用连续激光束或电子束辐照,以加热至所期温度。用激光束扫描过一个表面,就可以得到一个移动的温度分布,对由于注入离子而受损的半导体不经熔融而进行退火处理。这种做法可得到固相外延重长。其效果和用炉子加热到相同温度所得的重长相仿。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高亮度绿色薄膜EL器件

        浜川圭弘
        1980, 1(2): 64-65.
        摘要：长期以来对平板显示用的薄膜EL器件的发展付出了好大力量。在许多方法中,两面绝缘ZnS:Mn薄膜是有希望的EL器件。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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