最新刊期
      1980年第1卷第1期

        论文

      • 荧光显示发展概况

        葛世潮
        1980, 1(1): 1-11.
        摘要：荧光显示也称低能电子发光显示。1967年日本伊势公司中村正博士等首次利用ZnO:Zn的低能电子发光现象制成显示数字的显示器——荧光数码管[1]。由于它具有良好的光、电性能,十多年来发展非常迅速,是目前显示数字符号的主要器件之一,被广泛地应用于台式电子计算机、数字仪表、电子秤、数字钟等;并已开始应用于小型计算机终端、模拟显示、数据处理终端以及临床显示等。目前还正在研究具有存储能力的显示器、象加强和象变换器、平板示波器以及平板电视等显示器。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • ZnS型交流粉末场致发光材料的制备

        朱自熙
        1980, 1(1): 12-22.
        摘要：场致发光材料的制备方法由于经济利益的原因,关键性的详细情节常常是不公开发表的,同时也由于对发光体的结构包括杂质缺陷的性质还缺乏确切的了解,因此在制备材料方面也就没有找到一个按照需要进行设计而主要不是依赖于经验的方法。虽然各种方法都不一样,但都遵循着前人某些基本研究的成果。这些成果主要可以归纳为Kröger[1-3]Riehl[4-5]关于ZnS发光化学方面的工作和ZnS场致发光激发机理是碰撞离化[6]。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 难忘的十八年

        中国科技大学物理系发光专业
        1980, 1(1): 22-24.
        摘要：在科学院的“全院办校、所系结合”的方针指引下,中国科技大学物理系从1961年起和北京物理所密切结合开始筹建发光专业,经过短时间的筹备,1962年秋天,发光专业开始承担我国第一批发光专业学生——58级物理大队发光专业学生——的部分专业教学任务。从63年起,发光专业就全面承担了专业教学任务。  
          
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        更新时间：2020-08-11
      • 胡恺生
        1980, 1(1): 24-29.
        摘要：众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 稀有气体固体及其发光性质

        张志林
        1980, 1(1): 29-45.
        摘要：稀有气体,有时我们称之为惰性气体,包括氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)。由于它们具有许多特殊的性质,特别是发光性质如氖灯、氙灯,以及各种气体激光器,所以大家都很熟悉。但是对“稀有气体”固体则可能比较生疏。这是因为常温常压下这些元素都只有气态。只有当温度降到很低时,或者在高压下才能变成固体,有的,如He,即使到绝对零度也不能变成固体。因此所谓“稀有气体固体”(文中RGS以来代表)指的是这些元素在低温下凝聚成固体时的状态。由于只有在低温下才能成为固体,因此对它的研究也受到了很大的限制。但由于它具有下面的一些特点,因此随着低温技术,光谱和同步辐射技术的发展,这方面的研究工作愈来愈多,而且愈来愈受到人们的重视[1-2]。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 高压下的发光

        蒋雪茵
        1980, 1(1): 45-62.
        摘要：当固体受到压力(静压或轴向压力)时,原子间距发生变化,原子之间相互作用力也产生变化,因而引起固体能带及各种杂质态的变化,相应的光学、电学性质都将变化。研究压力下光电性质的变化将给我们提供能带结构及杂质能级的重要情报。压力作为研究能带结构,尤其是导带底结构的重要方法是人们所熟悉的。而近年来,压力更广泛地应用到杂质态的研究,特别是各类发光中心的研究上。压力的研究能够提供发光中心及发光机制的有关情报。可以说,压力是研究能带结构及发光中心的有力工具。  
          
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        更新时间：2020-08-11

      • 国外薄膜晶体管研究工作进展

        叶如华
        1980, 1(1): 63-74.
        摘要：1962年,Weimer对薄膜晶体管的研究工作取得了显著的进展。薄膜晶体管(以下简称为TFT)技术一时引起了很多半导体器件研究者的注意。然而,由于在稳定性、重复性方面尚存在问题,应用范围也不十分明确,TFT有没有发展前途呢? 对这个问题争论甚多。整个六十年代,恰恰是硅大规模集成技术飞速发展趋于成熟的阶段。薄膜有源器件刚刚出现,很难与之竞争。其结果是对TFT的兴趣逐渐衰落,为深入了解TFT以及解决存在的问题所必须的系统研究,仅有少数几个研究小组在继续进行。  
          
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        更新时间：2020-08-11
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