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δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿
材料合成及性能 | 更新时间:2020-08-12
    • δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿

    • Resonant Tunneling of Holes Through δ-doped Be Acceptor GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells

    • 发光学报   2019年40卷第11期 页码:1373-1379
    • DOI:10.3788/fgxb20194011.1373    

      中图分类号: O472.4
    • 收稿日期:2019-06-05

      修回日期:2019-07-29

      网络出版日期:2019-08-19

      纸质出版日期:2019-11-05

    移动端阅览

  • 郑卫民, 黄海北, 李素梅等. δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿[J]. 发光学报, 2019,40(11): 1373-1379 DOI: 10.3788/fgxb20194011.1373.

    ZHENG Wei-min, HUANG Hai-bei, LI Su-mei etc. Resonant Tunneling of Holes Through δ-doped Be Acceptor GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019,40(11): 1373-1379 DOI: 10.3788/fgxb20194011.1373.

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相关作者

宋迎新
李斌
王爱芳
丛伟艳
李素梅
黄海北
郑卫民
苗瑞霞

相关机构

山东大学(威海) 空间科学与物理学院
墨尔本大学 化学院
山东大学(威海) 信息工程学院
中国科学院 上海技术物理研究所
济南市半导体元件实验所
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