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纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高

    • Enhancement of Deep-UV Light Extraction Efficiency from Bulk AlGaN with Photonic Crystals Fabricated by Nanoimprint Lithography

    • 发光学报   2014年35卷第8期 页码:998-1002
    • DOI:10.3788/fgxb20143508.0998    

      中图分类号: TN303;TN304
    • 收稿日期:2014-04-13

      修回日期:2014-05-22

      网络出版日期:2014-04-18

      纸质出版日期:2014-08-03

    移动端阅览

  • 蔡钧安, 秦志新,. 纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高[J]. 发光学报, 2014,35(8): 998-1002 DOI: 10.3788/fgxb20143508.0998.

    CAI Jun-an, QIN Zhi-xin,. Enhancement of Deep-UV Light Extraction Efficiency from Bulk AlGaN with Photonic Crystals Fabricated by Nanoimprint Lithography[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014,35(8): 998-1002 DOI: 10.3788/fgxb20143508.0998.

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