生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响

材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-12

- 生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响
- Effect of Growth Temperature on UV Absorption Characteristics and Growth Orientation of Cubic MgZnO Films
- 发光学报 2014年35卷第8期页码：939-944
- 作者机构：
  
  深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室,广东深圳,518060
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金（60976036，51371120，51302174）();深圳市特种功能材料重点实验室开放基金（T201205）资助项目()
- DOI：10.3788/fgxb20143508.0939
  中图分类号： O484.1
- 收稿日期：2014-04-25，
  
  修回日期：2014-05-07，
  
  纸质出版日期：2014-08-03
- 稿件说明：
移动端阅览
彭赛, 吕有明, 韩舜等. 生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响[J]. 发光学报, 2014,35(8): 939-944

PENG Sai, LYU You-ming, HAN Shun etc. Effect of Growth Temperature on UV Absorption Characteristics and Growth Orientation of Cubic MgZnO Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014,35(8): 939-944
彭赛, 吕有明, 韩舜等. 生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响[J]. 发光学报, 2014,35(8): 939-944 DOI： 10.3788/fgxb20143508.0939.

PENG Sai, LYU You-ming, HAN Shun etc. Effect of Growth Temperature on UV Absorption Characteristics and Growth Orientation of Cubic MgZnO Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014,35(8): 939-944 DOI： 10.3788/fgxb20143508.0939.

摘要

利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构MgZnO薄膜，并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况。当生长温度从150℃升高到700℃时，MgZnO薄膜的生长取向由（200）向（111）转变。在600℃以下，MgZnO薄膜光学带隙的变化规律与晶格中Mg和Zn原子比例的变化趋势是一致的;而当温度升至700℃时，虽然MgZnO晶格中Mg和Zn原子比例降低，但由于平均晶粒尺寸变大，薄膜的光学带隙反而上升。在300℃和700℃晶格匹配的情况下，获得了单一（200）和（111）取向的立方MgZnO薄膜。

Abstract

Cubic structure Mg

1-

x

Zn

x

O films were deposited by pulsed laser deposition method. The influence of temperature on the growth orientation and optical absorption characteristics of cubic structure Mg

1-

x

Zn

x

O films were studied. The preferred growth orientation of MgZnO thin films changed from (200) to (111) when the growth temperature increased from 150℃ to 700℃. The UV absorption edge of MgZnO thin film changed with the Mg/Zn ratio in MgZnO crystal lattice when the growth temperature increased from 150℃ to 600℃. When the temperature changed from 600℃ to 700℃

the grain size of MgZnO thin film increased

and the UV absorption edge of MgZnO thin film blue shifted though the Mg/Zn ratio in MgZnO crystal lattice decreased. Finally

single (200) and (111) orientation MgZnO thin films were deposited on (200) and (111) orientation MgO substrates at 300℃and 700℃

respectively.

关键词

Keywords

references

Jaffe J E, Hess A C. Hartree-Fock study of phase changes in ZnO at high pressure [J]. Phys. Rev. B, 1993, 48(11):7903-7907.

Yang W, Hullavarad S S, Nagaraj B, et al. Compositionally-tuned epitaxial cubic MgxZn1-xO on Si (100) for deep ultraviolet photodetectors [J]. Appl. Phys. Lett., 2003, 82(20):3424-3426.

Yang W, Vispute R D, Choopun S, et al. Ultraviolet photoconductive detector based on epitaxial Mg0.34Zn0.66O thin films [J]. Appl. Phys. Lett., 2001, 78(18):2787-2789.

Ju Z G, Shan C X, Jiang D Y, et al. MgxZn1-xO-based photodetectors covering the whole solar-blind spectrum range [J]. Appl. Phys. Lett., 2008, 93(17):173505-1-3.

Chen X Y, Wong K H, Mak C L, et al. Selective growth of (100)-,(110)-, and (111)-oriented MgO films on Si (100) by pulsed laser deposition [J]. J. Appl. Phys., 2002, 91(9):5728-5734.

Huang R, Kitai A H. Temperature-dependence of the growth orientation of atomic layer growth MgO [J]. Appl. Phys. Lett., 1992, 61(12):1450-1452.

Tanaka H, Fujita S, Fujita S. Fabrication of wide-band-gap MgxZn1-xO quasi-ternary alloys by molecular-beam epitaxy [J]. Appl. Phys. Lett., 2005, 86(19):192911-1-3.

Chen J, Shen W Z, Chen N B, et al. The study of composition non-uniformity in ternary MgxZn1-xO thin films [J]. J. Phys.: Condensed Matter, 2003, 15(30):L475-L479.

Ardizzone S, Bianchi C L, Fadoni M, et al. Magnesium salts and oxide: An XPS overview [J]. Appl. Surf. Sci., 1997, 119(3):253-259.

Dohler G H. Doping superlattices (nipi crystals) [J]. IEEE J. Quant. Electron., 1986, 22(9):1682-1695.

Zhang Y T. Study of Growth and Properties of ZnO Films and MgZnO Alloy Films . Changchun: Jilin Univesity, 2005.

0

浏览量

119

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

不同Ar/O₂气压比例条件下立方MgZnO薄膜生长特性及紫外光吸收特性

退火处理对ZnS薄膜的结构和光学性质的影响

p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究

4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响

基于Ag微孔阵列结构电极的MgZnO紫外探测器制备和特性

相关作者

韩舜

彭赛

曹培江

柳文军

曾玉祥

贾芳

朱德亮

吕有明

相关机构

深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室, 深圳陶瓷先进技术工程实验室

鲁东大学

曲阜师范大学激光研究所, 山东曲阜

曲阜师范大学物理工程学院, 山东曲阜

湖北民族大学智能科学与工程学院

AI问答

地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号邮编：130033
联系电话：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
本系统由Light学术出版中心、北京北大方正电子有限公司共建吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰