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基于含时密度泛函理论的对位卤代二苯醚电子跃迁机理
发光学应用及交叉前沿 | 更新时间:2020-08-12
    • 基于含时密度泛函理论的对位卤代二苯醚电子跃迁机理

    • Electron Transition Mechanism of para-Halogenated Diphenyl Ethers Based on TD-DFT

    • 发光学报   2014年35卷第5期 页码:627-636
    • DOI:10.3788/fgxb20143505.0627    

      中图分类号: X592;O657.3
    • 收稿日期:2014-01-11

      修回日期:2014-02-18

      纸质出版日期:2014-05-03

    移动端阅览

  • 姜龙, 曾娅玲, 蔡啸宇等. 基于含时密度泛函理论的对位卤代二苯醚电子跃迁机理[J]. 发光学报, 2014,35(5): 627-636 DOI: 10.3788/fgxb20143505.0627.

    JIANG Long, ZENG Ya-ling, CAI Xiao-yu etc. Electron Transition Mechanism of <em>para</em>-Halogenated Diphenyl Ethers Based on TD-DFT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014,35(5): 627-636 DOI: 10.3788/fgxb20143505.0627.

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