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应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度

    • Roughness Decreasing of Silicon Carbide Hologram-ion Beam Etching Grating by Using Surface Modification Technique

    • 发光学报   2013年34卷第11期 页码:1489-1493
    • DOI:10.3788/fgxb20133411.1489    

      中图分类号: O484;TN304
    • 收稿:2013-08-13

      修回:2013-9-17

      纸质出版:2013-11-10

    移动端阅览

  • 王彤彤. 应用碳化硅表面改性技术降低全息-离子束刻蚀光栅刻槽的粗糙度[J]. 发光学报, 2013,34(11): 1489-1493 DOI: 10.3788/fgxb20133411.1489.

    WANG Tong-tong. Roughness Decreasing of Silicon Carbide Hologram-ion Beam Etching Grating by Using Surface Modification Technique[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013,34(11): 1489-1493 DOI: 10.3788/fgxb20133411.1489.

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上海大学 材料科学与工程学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室
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