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退火处理对W∶Bi4Ge3 O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • 退火处理对W∶Bi4Ge3 O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

    • Effects of Annealing Treatment on the Photoluminescence Properties of W∶Bi4Ge3O12 and Bi12GeO20 Crystals

    • 发光学报   2011年32卷第8期 页码:825-829
    • DOI:10.3788/fgxb20113208.0825    

      中图分类号: O482.31
    • 收稿日期:2011-03-27

      修回日期:2011-06-17

      网络出版日期:2011-08-22

      纸质出版日期:2011-08-22

    移动端阅览

  • 俞平胜, 苏良碧, 唐慧丽, 郭鑫, 赵衡煜, 杨秋红, 徐军. 退火处理对W∶Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub> O<sub>12</sub>和Bi<sub>12</sub>GeO<sub>20</sub>晶体发光性能的影响[J]. 发光学报, 2011,32(8): 825-829 DOI: 10.3788/fgxb20113208.0825.

    YU Ping-sheng, SU Liang-bi, TANG Hui-li, GUO Xin, ZHAO Heng-yu, YANG Qiu-hong, XU Jun. Effects of Annealing Treatment on the Photoluminescence Properties of W∶Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12</sub> and Bi<sub>12</sub>GeO<sub>20</sub> Crystals[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(8): 825-829 DOI: 10.3788/fgxb20113208.0825.

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