垂直氧化锌纳米线中的激射现象

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垂直氧化锌纳米线中的激射现象

器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 垂直氧化锌纳米线中的激射现象
- The Lasing Action Observed in Aligned ZnO Nanowires
- 发光学报 2011年32卷第5期页码：462-465
- 作者机构：
  
  1. 奥尔良大学法国科学院材料分离研究中心, 法国奥尔良 45071
  2. 中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春 130033
  3. 东北师范大学先进光电功能材料研究中心, 吉林长春 130024
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  Project supported by the Key Project of National Natural Science Foundation of China
- DOI：10.3788/fgxb20113205.0462
  中图分类号： O472;O482.31
- 收稿日期：2010-11-25，
  
  修回日期：2011-01-10，
  
  网络出版日期：2011-05-22，
  
  纸质出版日期：2011-05-22
- 稿件说明：
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郭振, Andreazza-Vignolle Caroline, Andreazza Pascal, 赵东旭, 刘益春, 张立功, 李炳辉, 张振中, 申德振. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象[J]. 发光学报, 2011,32(5): 462-465

GUO Zhen, Andreazza-Vignolle Caroline, Andreazza Pascal, ZHAO Dong-xu, LIU Yi-chun, ZHANG Li-gong, LI Bing-hui, ZHANG Zhen-zhong, SHEN De-zhen. The Lasing Action Observed in Aligned ZnO Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(5): 462-465
郭振, Andreazza-Vignolle Caroline, Andreazza Pascal, 赵东旭, 刘益春, 张立功, 李炳辉, 张振中, 申德振. 垂直氧化锌纳米线中的激射现象[J]. 发光学报, 2011,32(5): 462-465 DOI： 10.3788/fgxb20113205.0462.

GUO Zhen, Andreazza-Vignolle Caroline, Andreazza Pascal, ZHAO Dong-xu, LIU Yi-chun, ZHANG Li-gong, LI Bing-hui, ZHANG Zhen-zhong, SHEN De-zhen. The Lasing Action Observed in Aligned ZnO Nanowires[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(5): 462-465 DOI： 10.3788/fgxb20113205.0462.

摘要

通过水热的方法以退火0.5 h的ZnO薄膜作为籽晶

得到垂直的ZnO纳米线。在 X射线衍射谱中

除了Si的(400)衍射峰以外

只观察到了ZnO的(002)衍射峰。室温光致发光谱中出现了强的紫外发射峰

同时也伴随着弱的缺陷相关的发射。这些数据表明垂直的ZnO纳米线序列有着较好的晶体质量。同时

通过光泵浦也观察到了ZnO纳米线中的激光发射。当激发功率密度超过阈值且进一步增加时

出现了多模发射峰

其积分强度随着激发功率密度的增大呈非线性的增长

并且在96 kWcm

-2

处能清晰地观察到从自发发射到激射的转变。

Abstract

Aligned ZnO nanowires (NWs) were obtained by hydrothermal method using annealed ZnO film as seed layer.Besides Si(400)

only ZnO(002) diffraction peak was observed in X-ray diffraction(XRD) pattern. The lasing emissions were observed in optically pumped aligned ZnO NWs. Multi-mode emission peaks emerged when the excitation power density exceed the threshold.The integrated intensity of the spectra increases nonlinearly with the excitation power density

and the transition point from the spontaneous emission to lasing at about 96 kW/cm

2

can be clearly observed.

关键词

Keywords

references

Gao Shuxia, Wang Deyi. Influence of annealing temperature on structure and optical properties of Na-doped ZnO thin films prepared by sol-gel method [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2009, 30 (1):81-85 (in English).[2] Wang Zhuangbing, Li Xiang, Yu Yongqiang, et al. The deposition mechanism of MgZnO films by PLD with high pulse energy [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2009, 30 (1):344-350 (in English).[3] Kang Chaoyang, Zhao Chaoyang, Liu Zhengrong, et al. Improvement of the structure and photoelectrical properties of ZnO films based on SiC buffer layer grown on Si(111)[J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2009, 30 (6):807-811 (in Chinese).[4] Li Binghui, Yao Bin, Li Yongfeng, et al. Ultraviolet electroluminescence from ZnO based heterojunction light-emitting diodes fabricated on p-GaAs substrate [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2010, 31 (6):854-858 (in English).[5] Park W I, Jun Y H, Jung S W, et al. Excitonic emissions observed in ZnO single crystal nanorods [J]. Appl. Phys. Lett., 2003, 82 (6):964-966.[6] Zhao Yanmin, Zhang Jiying, Zhang Xiyan, et al. A back-illuminated Au-ZnO-Al Shottky UV photodetector [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2010, 31 (4):527-530 (in Chinese).[7] Tang Z K, Wong G K L, Yu P. Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films [J]. Appl. Phys. Lett., 1998, 72 (25):3270-3272.[8] Huang M H, Mao S, Feick H, et al. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers [J]. Science, 2001, 292 (5523):1897-1899.[9] Zapien J A, Jiang Y, Meng X M, et al. Room-temperature single nanoribbon lasers [J]. Appl. Phys. Lett., 2004, 84 (7):1189-1191.

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