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Ga2O3/NiO异质结势垒肖特基二极管制备
更新时间：2026-08-19

    • Ga2O3/NiO异质结势垒肖特基二极管制备

      增强出版

    • Fabrication of Ga2O3/NiO Heterojunction Barrier Schottky Diodes

    • 发光学报   2026年 页码：1-8

    • DOI：10.37188/CJL.20260241    

      中图分类号： O482.31
    • CSTR：32170.14.CJL.20260241    

    • 网络首发：2026-08-19，

    移动端阅览

  • 程思远,王者,张钊等.Ga2O3/NiO异质结势垒肖特基二极管制备[J].发光学报,DOI:10.37188/CJL.20260241 CSTR: 32170.14.CJL.20260241. DOI：

    CHENG Siyuan,WANG Zhe,ZHANG Zhao,et al.Fabrication of Ga2O3/NiO Heterojunction Barrier Schottky Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,DOI:10.37188/CJL.20260241 CSTR: 32170.14.CJL.20260241. DOI：

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