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1.宁波大学 材料科学与化学工程学院, 浙江 宁波 315211
2.中国科学院 宁波材料技术与工程研究所, 浙江 宁波 315201
3.浙江大学 材料科学与工程学院, 硅及先进半导体材料全国重点实验室, 浙江 杭州 310027
4.浙江大学 温州研究院, 浙江 温州 325006
5.中国科学院 脑科学与智能技术卓越创新中心, 上海 200031
6.中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100029
赵建璐(1998-),男,山东淄博人,硕士研究生,2021年于山东建筑大学获得学士学位,主要从事氮化物光电忆阻器研究。E-mail: zhaojianlu@nimte.ac.cn
诸葛飞(1975-),男,江苏常州人,博士,研究员,2005年于浙江大学获得博士学位,主要从事低维半导体材料与器件及其在类脑人工智能领域的应用研究。E-mail: zhugefei@nimte.ac.cn
收稿:2026-02-17,
修回:2026-02-26,
纸质出版:2026-06-25
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赵建璐,吴云飞,胡令祥等.氮化物光电类脑神经形态器件[J].发光学报,2026,47(06):909-934.
ZHAO Jianlu,WU Yunfei,HU Lingxiang,et al.Nitride Optoelectronic Brain-inspired Neuromorphic Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(06):909-934.
赵建璐,吴云飞,胡令祥等.氮化物光电类脑神经形态器件[J].发光学报,2026,47(06):909-934. DOI: 10.37188/CJL.20260057. CSTR: 32170.14.CJL.20260057.
ZHAO Jianlu,WU Yunfei,HU Lingxiang,et al.Nitride Optoelectronic Brain-inspired Neuromorphic Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(06):909-934. DOI: 10.37188/CJL.20260057. CSTR: 32170.14.CJL.20260057.
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