Gd3+掺杂对Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+荧光粉发光性能的影响

王世恒; 刘荣辉; 刘元红; 陈观通; 胡运生

doi:10.37188/CJL.20260003

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Gd³⁺掺杂对Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺荧光粉发光性能的影响

材料合成及性能 | 更新时间：2026-09-11

- Gd³⁺掺杂对Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺荧光粉发光性能的影响
  增强出版
- Gd³⁺ Doping on Luminescent Properties of Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺ Phosphors
- 发光学报 2026年47卷第4期页码：648-656
- 作者机构：
  
  1.有研稀土新材料股份有限公司稀土国家工程研究中心，北京 100088
  2.有研稀土高技术有限公司，河北廊坊 065201
  3.北京有色金属研究总院，北京 100088
- 作者简介：
  
  王世恒（2000-），男，河南新乡人，硕士研究生，2023年于石河子大学获得学士学位，主要从事Ce3+离子激活稀土发光材料的研究。E-mail： 1768726847@qq.com
  胡运生（1979-），男，湖南衡阳人，博士，正高级工程师，2014年于北京有色金属研究总院获得博士学位，主要从事新型稀土发光材料设计、合成与应用的研究。E-mail： huyunsheng@grinm.com
- 基金信息：
  
  国家重点研发计划(2023YFB3506602;2023YFB3506600)
- DOI：10.37188/CJL.20260003
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170.14.CJL.20260003
- 收稿：2026-01-03，
  
  修回：2026-01-09，
  
  纸质出版：2026-04-25
- 稿件说明：
移动端阅览
王世恒,刘荣辉,刘元红等.Gd³⁺掺杂对Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺荧光粉发光性能的影响[J].发光学报,2026,47(04):648-656. DOI: 10.37188/CJL.20260003. CSTR: 32170.14.CJL.20260003.

WANG Shiheng,LIU Ronghui,LIU Yuanhong,et al.Gd³⁺ Doping on Luminescent Properties of Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺ Phosphors[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(04):648-656. DOI: 10.37188/CJL.20260003. CSTR: 32170.14.CJL.20260003.
王世恒,刘荣辉,刘元红等.Gd³⁺掺杂对Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺荧光粉发光性能的影响[J].发光学报,2026,47(04):648-656. DOI: 10.37188/CJL.20260003. CSTR: 32170.14.CJL.20260003. DOI：

WANG Shiheng,LIU Ronghui,LIU Yuanhong,et al.Gd³⁺ Doping on Luminescent Properties of Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺ Phosphors[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(04):648-656. DOI: 10.37188/CJL.20260003. CSTR: 32170.14.CJL.20260003. DOI：

浏览量

405

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于Ge2Sb2Te5复合硅基微球腔回音壁模式的多级调制

力致发光触觉传感器件研究进展

力致发光材料的前沿应用进展

基于逻辑门调控的碳点荧光传感体系对银离子和L-半胱氨酸的高灵敏检测

人体耦合驱动的交流场致发光湿敏可视化薄膜传感器

Gd3+掺杂对Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+荧光粉发光性能的影响

Gd³⁺ Doping on Luminescent Properties of Y3Mg2AlSi2O12∶Ce3+ Phosphors

DOI：10.37188/CJL.20260003

Gd³⁺掺杂对Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺荧光粉发光性能的影响

Gd³⁺ Doping on Luminescent Properties of Y₃Mg₂AlSi₂O₁₂∶Ce³⁺ Phosphors