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基于VSe2宽带可饱和吸收体的2.8 μm Er∶YAP被动调Q激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-06-24

    • 基于VSe2宽带可饱和吸收体的2.8 μm Er∶YAP被动调Q激光器

      增强出版

    • 2.8 μm Passively Q-switched Er∶YAP Laser Based on VSe2 Broadband Saturable Absorber

    • 发光学报   2026年47卷第6期 页码：1052-1059

    • DOI：10.37188/CJL.20250293    

      中图分类号： TN248.1
    • CSTR：32170.14.CJL.20250293    

    • 收稿：2025-12-29，

      修回：2026-01-13，

      纸质出版：2026-06-25

    移动端阅览

  • 蔡俊豪,李明达,裴浩等.基于VSe2宽带可饱和吸收体的2.8 μm Er∶YAP被动调Q激光器[J].发光学报,2026,47(06):1052-1059. DOI: 10.37188/CJL.20250293. CSTR: 32170.14.CJL.20250293. DOI：

    CAI Junhao,LI Mingda,PEI Hao,et al.2.8 μm Passively Q-switched Er∶YAP Laser Based on VSe2 Broadband Saturable Absorber[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(06):1052-1059. DOI: 10.37188/CJL.20250293. CSTR: 32170.14.CJL.20250293. DOI：

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