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基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元
发光学应用及交叉前沿 | 更新时间：2026-09-11

    • 基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元

      增强出版

    • Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer

    • 发光学报   2026年47卷第3期 页码：515-525

    • DOI：10.37188/CJL.20250243    

      中图分类号： O472
    • CSTR：32170.14.CJL.20250243    

    • 收稿：2025-11-17，

      修回：2025-12-02，

      纸质出版：2026-03-25

    移动端阅览

  • 张国成,曾自力,唐建川等.基于超薄氧化铝绝缘修饰层忆阻器的光电神经元[J].发光学报,2026,47(03):515-525. DOI： 10.37188/CJL.20250243. CSTR： 32170.14.CJL.20250243.

    ZHANG Guocheng,ZENG Zili,TANG Jianchuan,et al.Photonic Neuron Based on Memristor with Ultra-thin Alumina Insulating Modification Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2026,47(03):515-525. DOI： 10.37188/CJL.20250243. CSTR： 32170.14.CJL.20250243.

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