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谐振周期增益有源区AlxGa1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响
器件制备及器件物理 | 更新时间:2025-11-26
    • 谐振周期增益有源区AlxGa1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响

      增强出版
    • Influence of AlxGa1-xAs Spacer Layer in Resonant Periodic Gain Active Region on Performance for 940 nm Vertical Cavity Surface-emitting Laser

    • PICS 3D仿真软件设计了不同Al组分AlxGa1-xAs间隔层的谐振周期增益有源区,研究了940 nm垂直腔面发射激光器的光电特性,以实现高输出功率和高功率转换效率。
    • 发光学报   2025年46卷第11期 页码:2109-2118
    • DOI:10.37188/CJL.20250151    

      中图分类号: TN248.4
    • CSTR:32170.14.CJL.20250151    
    • 收稿:2025-05-14

      修回:2025-05-30

      纸质出版:2025-11-25

    移动端阅览

  • 武彬,董海亮,贾志刚等.谐振周期增益有源区AlxGa1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响[J].发光学报,2025,46(11):2109-2118. DOI: 10.37188/CJL.20250151. CSTR: 32170.14.CJL.20250151.

    WU Bin,DONG Hailiang,JIA Zhigang,et al.Influence of AlxGa1-xAs Spacer Layer in Resonant Periodic Gain Active Region on Performance for 940 nm Vertical Cavity Surface-emitting Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(11):2109-2118. DOI: 10.37188/CJL.20250151. CSTR: 32170.14.CJL.20250151.

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