谐振周期增益有源区Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响

武彬; 董海亮; 贾志刚; 贾伟; 马淑芳; 尚林; 许并社

doi:10.37188/CJL.20250151

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谐振周期增益有源区Al_xGa_1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响

更新时间：2025-06-17

- 谐振周期增益有源区Al_xGa_1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响
  增强出版
- Influence of the Al_xGa_1-xAs spacer layer in resonant periodic gain active region on the performance for 940 nm vertical cavity surface-emitting laser
- “在光电领域，研究者采用PICS 3D仿真软件设计了不同Al组分的RPG VCSEL有源区，实现了高输出功率和高效率。通过调节Al组分，有效降低了非辐射复合，为量子阱RPG有源区材料选择提供理论指导。”
- 发光学报 2025年页码：1-10
- 作者机构：
  
  1.太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，山西太原 030024
  2.山西浙大新材料与化工研究院，山西太原 030024
  3.陕西科技大学物理与信息科学学院西安市化合物半导体材料与器件重点实验室，陕西西安 710021
- 作者简介：
  
  [ "武彬（2000-），男，山西临汾人，硕士研究生，2022年于中北大学获得学士学位，主要从事GaAs基垂直腔面发射激光器的研究。E-mail： wubin6545@163.com" ]
  [ "董海亮（1984-），男，山东东明人，博士研究生，正高级实验师，2016年于太原理工大学获得博士学位，主要从事砷化镓、氮化镓基半导体激光器和氮化镓基发光二极管发光机理与光电性能的研究。E-mail： dhltyut@163.com" ]
- 基金信息：
  
  山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018;2022SX-AT001;2021SX-AT001);国家自然科学基金项目(61904120;21972103);陕西省自然科学基础研究计划(2023-JC-QN-0552);山西省重点研发计划项目(202302150101001);山西“1331工程”
- DOI：10.37188/CJL.20250151
  中图分类号： TN248.4
- CSTR：32170.14.CJL.20250151
- 网络出版日期：2025-06-17，
- 稿件说明：
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武彬,董海亮,贾志刚等.谐振周期增益有源区Al_xGa_1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响[J].发光学报,

WU Bin,DONG Hailiang,JIA Zhigang,et al.Influence of the Al_xGa_1-xAs spacer layer in resonant periodic gain active region on the performance for 940 nm vertical cavity surface-emitting laser[J].Chinese Journal of Luminescence,
武彬,董海亮,贾志刚等.谐振周期增益有源区Al_xGa_1-xAs间隔层对940 nm垂直腔面发射激光器性能的影响[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250151 CSTR： 32170.14.CJL.20250151.

WU Bin,DONG Hailiang,JIA Zhigang,et al.Influence of the Al_xGa_1-xAs spacer layer in resonant periodic gain active region on the performance for 940 nm vertical cavity surface-emitting laser[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250151 CSTR： 32170.14.CJL.20250151.

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DOI：10.37188/CJL.20250151

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