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氧化锌基忆阻器件研究进展
特邀报告 | 更新时间：2025-05-27

    • 氧化锌基忆阻器件研究进展

      增强出版

    • Recent Progress in ZnO-based Memristive Devices

    • “最新研究进展显示，氧化锌基忆阻器件在信息存储处理、类脑突触功能模拟等领域具有广阔应用前景。专家总结了氧化锌基忆阻器件面临的挑战，并展望了未来发展趋势。”
    • 发光学报   2025年46卷第5期 页码：753-769

    • DOI：10.37188/CJL.20240331    

      中图分类号： O472
    • CSTR：32170.14.CJL.20240331    

    • 收稿日期：2024-12-17，

      修回日期：2025-01-02，

      纸质出版日期：2025-05-25

    移动端阅览

  • 史佳娟,单旋宇,王中强等.氧化锌基忆阻器件研究进展[J].发光学报,2025,46(05):753-769. DOI： 10.37188/CJL.20240331. CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

    SHI Jiajuan,SHAN Xuanyu,WANG Zhongqiang,et al.Recent Progress in ZnO-based Memristive Devices[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(05):753-769. DOI： 10.37188/CJL.20240331. CSTR： 32170.14.CJL.20240331.

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史佳娟
单旋宇
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徐海阳
刘益春
史钧达
杨汝琪
胡杜楠

相关机构

东北师范大学，紫外光发射材料与技术教育部重点实验室
浙江大学 材料科学与工程学院， 硅及先进半导体材料全国重点实验室
江苏大学 农业工程学院
东南大学 电子科学与工程学院， 数字医学工程全国重点实验室
南京工业大学 数理科学学院
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