您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
更新时间：2024-12-26
|

    • p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究

      增强出版

    • p-Type MgZnOS Transparent Conductive Films and p-n Junction Type Self-Driven Ultraviolet Photodetectors

    • “最新研究突破了纯ZnO半导体p型掺杂难题，成功制备出高性能全ZnO基光电子器件。”
    • 发光学报   2024年 页码：1-10

    • DOI：10.37188/CJL.20240292    

      中图分类号： O469
    • CSTR：32170.14.CJL.20240292    

    • 网络出版日期：2024-12-26，

    移动端阅览

  • 郭紫曼, 汪洋, 刘洋, 等. p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究[J/OL]. 发光学报, 2024,1-10. DOI： 10.37188/CJL.20240292. CSTR： 32170.14.CJL.20240292.

    GUO ZIMAN, WANG YANG, LIU YANG, et al. p-Type MgZnOS Transparent Conductive Films and p-n Junction Type Self-Driven Ultraviolet Photodetectors. [J/OL]. Chinese journal of luminescence, 2024, 1-10. DOI： 10.37188/CJL.20240292. CSTR： 32170.14.CJL.20240292.

  •  
  •  

0

浏览量

15

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

1.55 μm高功率单横模半导体激光器的研制
β⁃Ga2O3的p型掺杂研究进展
PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性
快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响
生长温度对立方MgZnO薄膜生长取向和紫外光吸收特性的影响

相关作者

薛正群
池炳坤
陈玉萍
何俊洁
矫淑杰
聂伊尹
高世勇
王东博

相关机构

厦门市芯诺通讯科技有限公司
福州大学 先进制造学院
哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院
合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 安徽 合肥 230009
合肥工业大学 化学与化工学院
0