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p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究
封面文章 | 更新时间:2025-03-24
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    • p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究

      增强出版
    • p-type MgZnOS Transparent Conductive Films and p-n Junction Type Self-driven Ultraviolet Photodetectors

    • 最新研究突破了纯ZnO半导体p型掺杂难题,成功制备了N掺杂p型透明导电MgZnOS薄膜,为全ZnO基光电子器件开发提供新思路。
    • 发光学报   2025年46卷第3期 页码:373-382
    • DOI:10.37188/CJL.20240292    

      中图分类号: O469
    • CSTR:32170. 14. CJL. 20240292    
    • 收稿日期:2024-11-08

      修回日期:2024-12-02

      纸质出版日期:2025-03-25

    移动端阅览

  • 郭紫曼,汪洋,刘洋等.p型MgZnOS透明导电薄膜及其p-n结型自驱动紫外光电探测器研究[J].发光学报,2025,46(03):373-382. DOI: 10.37188/CJL.20240292. CSTR: 32170. 14. CJL. 20240292.

    GUO Ziman,WANG Yang,LIU Yang,et al.p-type MgZnOS Transparent Conductive Films and p-n Junction Type Self-driven Ultraviolet Photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(03):373-382. DOI: 10.37188/CJL.20240292. CSTR: 32170. 14. CJL. 20240292.

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