您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响
材料合成及性能 | 更新时间：2025-01-10
|

    • 2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响

      增强出版

    • Influence of 2 nm GaAs Insertion Layer on 905 nm InGaAs Multi Quantum Well Luminescence

    • “最新研究揭示，GaAs插入层能优化InGaAs多量子阱材料表面粗糙度和结晶质量，增强发光效果，为提升发光性能提供新思路。”
    • 发光学报   2024年45卷第12期 页码：2011-2020

    • DOI：10.37188/CJL.20240243    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-12-25，

      收稿日期：2024-09-30，

      修回日期：2024-10-17，

    移动端阅览

  • 甘露露, 王海珠, 张崇, 等. 2 nm GaAs插入层对905 nm波段InGaAs多量子阱发光的影响[J]. 发光学报, 2024,45(12):2011-2020. DOI： 10.37188/CJL.20240243.

    GAN LULU, WANG HAIZHU, ZHANG CHONG, et al. Influence of 2 nm GaAs Insertion Layer on 905 nm InGaAs Multi Quantum Well Luminescence. [J]. Chinese journal of luminescence, 2024, 45(12): 2011-2020. DOI： 10.37188/CJL.20240243.

  •  
  •  

0

浏览量

64

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长
垒层厚度对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理
近紫外380 nm发光二极管的量子阱结构优化
ZnCdTe-ZnTe多量子阱的电场效应

相关作者

马晓辉
王登奎
王祯胜
赵书存
张崇
王海珠
王海珠
王旭

相关机构

长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室
中国农业大学 应用物理系
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室
广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室 华南师范大学光电子材料与技术研究所
中国科学院长春物理研究所
0