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GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-09-26
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    • GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析

      增强出版

    • Analysis of Failure Mechanism of Reverse Leakage Current in GaN-based Micro-LEDs

    • “在GaN基蓝光Micro-LED芯片研究中，专家揭示了温度和电压应力对反向漏电流的影响，为提升芯片性能提供新见解。”
    • 发光学报   2024年45卷第9期 页码：1539-1546

    • DOI：10.37188/CJL.20240164    

      中图分类号： TN312+.8

    • 收稿日期：2024-07-02，

      修回日期：2024-07-17，

      纸质出版日期：2024-09-25

    移动端阅览

  • 王伟,张腾飞,王绶玙.GaN基Micro-LED反向漏电流失效机理分析[J].发光学报,2024,45(09):1539-1546. DOI： 10.37188/CJL.20240164.

    WANG Wei,ZHANG Tengfei,WANG Shouyu.Analysis of Failure Mechanism of Reverse Leakage Current in GaN-based Micro-LEDs[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(09):1539-1546. DOI： 10.37188/CJL.20240164.

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相关作者

王绶玙
张腾飞
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相关机构

厦门大学 物理科学与技术学院
未来显示技术研究院
闽江学院 国际数字经济学院
福州大学 物理与信息工程学院，平板显示技术国家和地方联合工程实验室
中国福建光电信息科学与技术创新实验室（闽都创新实验室）
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