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RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长
器件制备及器件物理 | 更新时间:2020-08-12
    • RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长

    • In-situ Monitoring of AlGaAs Growth by Reflectance Anisotropy Spectroscopy in MOCVD

    • 发光学报   2011年32卷第12期 页码:1297-1302
    • 中图分类号: O484.1;TN304.2
    • 收稿日期:2011-07-21

      修回日期:2011-10-08

      网络出版日期:2011-12-22

      纸质出版日期:2011-12-22

    移动端阅览

  • 徐华伟, 张金龙, 宁永强, 曾玉刚, 张星. RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长[J]. 发光学报, 2011,32(12): 1297-1302 DOI:

    XU Hua-wei, ZHANG Jin-long, NING Yong-qiang, ZENG Yu-gang, ZHANG Xing. In-situ Monitoring of AlGaAs Growth by Reflectance Anisotropy Spectroscopy in MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011,32(12): 1297-1302 DOI:

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相关作者

王鹏程
徐华伟
张金龙
宁永强
常建华
刘斌
谢自力
严羽

相关机构

发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院 研究生院
南京信息工程大学 电子与信息工程学院
南京大学 电子科学与工程学院
中山大学物理科学与工程技术学院
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