额定压强下O2/Ar比对ZnO : Al薄膜导电性能的影响

邓雪然; 邓 宏; 韦 敏; 陈金菊

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额定压强下O₂/Ar比对ZnO : Al薄膜导电性能的影响

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 额定压强下O₂/Ar比对ZnO : Al薄膜导电性能的影响
- Effects of O₂/Ar Ratio at Rated Pressure on Conductivity of Thin ZnO : Al Films
- 发光学报 2010年31卷第2期页码：227-229
- 作者机构：
  
  电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川成都 610054
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.4;O484.4+2
- 收稿：2009-11-10，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-04-30，
  
  纸质出版：2010-04-30
- 稿件说明：
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邓雪然;邓宏;韦敏;陈金菊. 额定压强下O2/Ar比对ZnO : Al薄膜导电性能的影响[J]. 发光学报, 2010,31(2): 227-229

DENG Xue-ran;DENG Hong;WEI Min;CHEN Jin-ju. Effects of O2/Ar Ratio at Rated Pressure on Conductivity of Thin ZnO : Al Films[J]. 发光学报, 2010,31(2): 227-229
邓雪然;邓宏;韦敏;陈金菊. 额定压强下O2/Ar比对ZnO : Al薄膜导电性能的影响[J]. 发光学报, 2010,31(2): 227-229 DOI：

DENG Xue-ran;DENG Hong;WEI Min;CHEN Jin-ju. Effects of O2/Ar Ratio at Rated Pressure on Conductivity of Thin ZnO : Al Films[J]. 发光学报, 2010,31(2): 227-229 DOI：

摘要

采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO : Al薄膜

并对薄膜在不同O

/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明:在0.2 Pa的额定压强下

Ar流量越大

薄膜的厚度越大

XRD峰越强

薄膜的电阻率(

)值越低。在纯氩气状态下溅射时

制得的薄膜具有最大的厚度值

约为2.06

mu;m

并具有最强的XRD峰

同时也达到最小值

阻值为2.66

times;10

-4

Omega;

middot;cm。研究表明:结晶性能的提高对薄膜

的降低起到了关键作用

而厚度的增加也会使电阻率下降。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

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