阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长
- Orientation-controlling Growth of Electrodeposited ZnO Films on Cathode
- 发光学报 2010年31卷第2期页码：214-218
- 作者机构：
  
  深圳大学材料学院, 深圳市特种功能材料重点实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.1
- 收稿：2009-11-20，
  
  修回：1900-1-2，
  
  网络首发：2010-04-30，
  
  纸质出版：2010-04-30
- 稿件说明：
移动端阅览
柳文军, 蔡少敏, 谢红丝, 等. 阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长[J]. 发光学报, 2010,31(2):214-218.

LIU Wen-jun, CAI Shao-min, XIE Hong-si, et al. Orientation-controlling Growth of Electrodeposited ZnO Films on Cathode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(2): 214-218.
柳文军, 蔡少敏, 谢红丝, 等. 阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长[J]. 发光学报, 2010,31(2):214-218. DOI：

LIU Wen-jun, CAI Shao-min, XIE Hong-si, et al. Orientation-controlling Growth of Electrodeposited ZnO Films on Cathode[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(2): 214-218. DOI：

摘要

采用阴极电沉积法

在Zn(NO

3

)

2

水溶液中

以304不锈钢为衬底制备了ZnO薄膜

研究了Zn

2+

浓度和电流密度对ZnO薄膜择优取向的影响规律。XRD结果表明:随着Zn

2+

浓度和电流密度增大

ZnO薄膜逐渐由(002)面择优取向生长转变为(101)面择优取向生长;当Zn

2+

浓度为0.005 mol·L

-1

、电流密度为2.0 mA·cm

-2

或Zn

2+

浓度为0.05 mol·L

-1

、电流密度为0.5 mA·cm

-2

时

可以得到(002)面择优取向生长的ZnO薄膜;当Zn

2+

浓度为0.05 mol·L

-1

、电流密度为2.0 mA·cm

-2

时

可以得到(101)面择优取向生长的ZnO薄膜。根据二维晶核理论

通过分析不同生长条件下的过饱和度及其对ZnO的(002)型和(101)型二维晶核形核活化能的影响

对这一规律进行了解释。可见

通过改变Zn

2+

浓度和电流密度能够实现阴极电沉积ZnO薄膜的取向可控生长。

Abstract

paper

关键词

Keywords

references

. zgür V, Alivov Ya I, Liu C, et al. A comprehensive review of ZnO materials and devices [J]. J. Appl. Phys., 2005, 98 (4):041301-1-103.

. Li Aixia, Bi Hong, Liu Yanmei, et al. Structure and optical properties of (Co,Cu)-codoped ZnO thin films [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (2):289-293 (in Chinese).

. Liu Xuedong, Gu Shulin, Li Feng, et al. The effect of carrier gas H2 used during MOCVD-grown on the properties of N-doped ZnO [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (3):441-446 (in Chinese).

. Gal D, Hodes G, Lincot D, et al. Electrochemical deposition of zinc oxide films from non-aqueous solution: a new buffer/window process for thin film solar cells [J]. Thin Solid Films, 2000, 361-362 :79-83.

. Jiang Zhiyuan, Xu Tao, Xie Zhaoxiong, et al. Molten salt route toward the growth of ZnO nanowires in unusual growth directions [J]. J. Phys. Chem. B, 2005, 109 (49):23269-23273.

. Guo W, Allenic A, Chen Y B, et al. ZnO epitaxy on (111) Si using epitaxial Lu2O3 buffer layers [J]. Appl. Phys. Lett., 2008, 92 (7):072101-1-3.

. Sun Jian, Bai Yizhen, Gu Jianfeng, et al. The growth and optical properties of ZnO films deposited on freestanding thick diamond films [J]. Chin. J. Lumin.(发光学报), 2008, 29 (3):455-459 (in Chinese).

. Petersen J, Brimont C, Gallart M, et al. Structural and photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by sol-gel process [J]. J. Appl. Phys., 2008, 104 (11):113539-1-5.

. Zhu M W, Gong J, Sun C, et al. Investigation of correlation between the microstructure and electrical properties of sol-gel derived ZnO based thin films [J]. J. Appl. Phys., 2008, 104 (7):073113-1-7.

. Ma Yukun, Yao Ning, Gao Zhifeng, et al. The preparation of ZnO film by two step chemical deposition method and its field emission properties [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2009, 30 (3):368-372 (in Chinese).

. Kashiwaba Y, Abe T, Onodera S, et al. Comparison of non-polar ZnO (112 0) films deposited on single crystal ZnO (112 0) and sapphire (011 2) substrates [J]. J. Crystal Growth, 2007, 298 :477-480.

. Ho Y T, Wang W L, Peng C Y, et al. Growth of nonpolar (112 0) ZnO films on LaAlO3(001) substrates [J]. Appl. Phys. Lett., 2008, 93 (12):121911-1-2.

. Han S K, Kim J G, Kim J H, et al. Effects of two-step growth by employing Zn-rich and O-rich growth conditions on pro-perties of (112 0) ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on sapphire [J]. J. Vac. Sci. Technol. B, 2009, 27 (3):1635-1640.

. Tian Ke, Shi Yuanyuan, Xu Xiaoqiu, et al. The investigation of growth orientations of ZnO films by CVD [J]. Chin. J. Lumin. (发光学报), 2008, 29 (2):294-298 (in Chinese).

. Zhou Shaomin. Metal Electrodeposition-principles and Research Methods [M]. Shanghai: Shanghai Scientific and Technical Publishers, 1987, 261-266 (in Chinese).

0

浏览量

627

下载量

1

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

硝酸铟诱导的电沉积氧化锌纳米柱光学性质裁剪

直流磁控溅射生长(002)择优取向AlN薄膜及其光致发光

电沉积掺铝氧化锌纳米柱的光学带隙蓝移与斯托克斯位移

透明导电ZnO薄膜的电化学制备及性能研究

电沉积法制备ZnO纳米柱及其机制研究

相关作者

汤洋

沈龙海

李思达

李健亮

赵鹏宇

刘俊

吕伟

汤洋

相关机构

北京低碳清洁能源研究院

国家能源集团绿色能源与建筑研究中心

沈阳理工大学理学院

北京低碳清洁能源研究所

同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室

AI问答

地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号邮编：130033
联系电话：0431-86176862 Email：fgxbt@126.com
本系统由Light学术出版中心、北京北大方正电子有限公司共建吉ICP备11002662号-17 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies

⁰