InAs 单量子点精细结构光谱

李文生; 孙宝权

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InAs 单量子点精细结构光谱

论文 | 更新时间：2020-08-12

- InAs 单量子点精细结构光谱
- Fine-structure Spectra in InAs Single Quantum Dots
- 发光学报 2009年30卷第6期页码：812-817
- 作者机构：
  
  1. 通辽职业学院生物化工系, 内蒙古通辽 028000
  2. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
- 作者简介：
  
  [ "" ]
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O472.3;O482.31
- 收稿日期：2009-01-19，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2009-12-30，
  
  纸质出版日期：2009-12-30
- 稿件说明：
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李文生, 孙宝权. InAs 单量子点精细结构光谱[J]. 发光学报, 2009,30(6):812-817.

LI Wen-sheng, SUN Bao-quan. Fine-structure Spectra in InAs Single Quantum Dots[J]. Chinese journal of luminescence, 2009, 30(6): 812-817.
李文生, 孙宝权. InAs 单量子点精细结构光谱[J]. 发光学报, 2009,30(6):812-817. DOI：

LI Wen-sheng, SUN Bao-quan. Fine-structure Spectra in InAs Single Quantum Dots[J]. Chinese journal of luminescence, 2009, 30(6): 812-817. DOI：

摘要

在5 K下

采用光致发光光谱和时间分辨光谱研究了不同单量子点的精细结构和对应发光光谱的偏振性、单激子/双激子发光光谱和相应发光动力学。给出InAs单量子点发光光谱所对应能级的精细结构及激子本征态的偏振特性。当精细结构能级劈裂为零时

激子的本征态为简并的圆偏振态。而当精细结构能级劈裂大于零时

一般在几十到几百μeV

激子的本征态为非简并的线偏振态。相对于单激子发光寿命

激子-激子间的散射使单激子的复合发光寿命减小。

Abstract

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关键词

Keywords

references

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