您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
稀磁半导体材料居里温度的极值点
论文 | 更新时间:2020-08-12
    • 稀磁半导体材料居里温度的极值点

    • Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange

    • 发光学报   2009年30卷第5期 页码:702-705
    • 中图分类号: O472.5
    • 收稿:2009-01-25

      修回:1900-1-2

      网络出版:2009-10-30

      纸质出版:2009-10-30

    移动端阅览

  • 陈 余, 关玉琴, 赵春旺. 稀磁半导体材料居里温度的极值点[J]. 发光学报, 2009,30(5):702-705. DOI:

    CHEN Yu, GUAN Yu-qin, ZHAO Chun-wang. Curie Temperature of Diluted Magnetic Semiconductor Material under The Anti-ferromagnetic Exchange[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2009, 30(5): 702-705. DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

768

下载量

1

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究
Ⅱ - Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿
溶胶凝胶法制备Zn1-xFexO稀磁半导体
(Ga, Mn)As光调制反射光谱

相关作者

卓世异
刘学超
熊泽
杨建华
施尔畏
杨 明
宫 箭
李贺年

相关机构

中国科学院 上海硅酸盐研究所
中国科学院 研究生院
内蒙古大学 物理科学与技术学院
北京交通大学光电子技术研究所
唐山师范学院, 初等教育学院
0