980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

程立文; 梁雪梅; 秦莉; 王祥鹏; 盛阳; 宁永强; 王立军

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980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析
- Theoretical Analysis of Key Parameters of 980nm Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emitting Laser
- 发光学报 2008年29卷第4期页码：713-717
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院, 研究生院北京,100049
  2. 中国科学院, 长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
  3. Crosslight公司中国分公司上海,200033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目(60577003,60476029,60676034,60636020)()
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 收稿日期：2007-09-12，
  
  修回日期：2007-11-24，
  
  纸质出版日期：2008-07-20
- 稿件说明：
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程立文, 梁雪梅, 秦莉, 王祥鹏, 盛阳, 宁永强, 王立军. 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析[J]. 发光学报, 2008,29(4): 713-717

CHENG Li-wen, LIANG Xue-mei, QIN Li, WANG Xiang-peng, SHENG Yang, NING Yong-qiang, WANG Li-jun. Theoretical Analysis of Key Parameters of 980nm Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emitting Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(4): 713-717
程立文, 梁雪梅, 秦莉, 王祥鹏, 盛阳, 宁永强, 王立军. 980nm OPS-VECSEL关键参数的理论分析[J]. 发光学报, 2008,29(4): 713-717 DOI：

CHENG Li-wen, LIANG Xue-mei, QIN Li, WANG Xiang-peng, SHENG Yang, NING Yong-qiang, WANG Li-jun. Theoretical Analysis of Key Parameters of 980nm Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emitting Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(4): 713-717 DOI：

摘要

光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(Optically Pumped Semiconductor Vertical External Cavity SurfaceEmission Laser)的输出特性受到诸多参数的影响

理论分析和模拟显得尤为重要.设计了一种以808 nm二极管激光耦合模块为光抽运光源

0.159

0.841

As/GaAs

0.94

0.06

为增益介质的980 nm光抽运垂直外腔面发射激光器

并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数.分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响

特别是对阈值和光-光转换效率的影响.模拟结果表明

器件的半径影响光-光转换效率.量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响

所以要根据实际需要

设计、生长结构和进行实验.

Abstract

The performance of optically pumped semiconductor vertical external-cavity surface emitting laser(OPS-VECSEL)is influenced by many parameters

so the theoretical analysis and simulation are very important.We constructed a 980 nm optically pumped semiconductor vertical external-cavity surface emitting laser(OPS-VECSEL)with active region of In

0.159

0.841

As/GaAs

0.94

0.06

system pumped by 808 nm laser diode module.Employing the PICS3D software

the characteristic parameters of OPS-VECSEL were calculated.The performances of device especially the threshold and the optical-optical conversion efficiency were influenced by the chip radius

the number of quantum well and the reflectivity of external-cavity mirror.Calculation and analysis show that the chip radius affect optical-optical conversion efficiency.The output power and optical-optical conversion efficiency are influenced by the number of quantum wells and the reflectivity of external-cavity mirror.Thus we should design and grow the laser structure according to the need.

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