六硼化镧薄膜场致发射的特性

朱炳金; 陈泽祥; 张强; 王小菊; 于涛

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六硼化镧薄膜场致发射的特性

论文 | 更新时间：2020-08-12

- 六硼化镧薄膜场致发射的特性
- Field Emission Characteristics of LaB₆ Film
- 发光学报 2008年29卷第3期页码：561-566
- 作者机构：
  
  电子科技大学, 光电信息学院, 四川, 成都, 610054
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部留学回国人员启动基金资助项目()
- DOI：
  中图分类号： TN873.95;O462.4
- 收稿：2007-08-25，
  
  修回：2007-11-24，
  
  纸质出版：2008-05-20
- 稿件说明：
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朱炳金, 陈泽祥, 张强, 王小菊, 于涛. 六硼化镧薄膜场致发射的特性[J]. 发光学报, 2008,29(3): 561-566

ZHU Bing-jin, CHEN Ze-xiang, ZHANG Qiang, WANG Xiao-ju, YU Tao. Field Emission Characteristics of LaB<sub>6</sub> Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 561-566
朱炳金, 陈泽祥, 张强, 王小菊, 于涛. 六硼化镧薄膜场致发射的特性[J]. 发光学报, 2008,29(3): 561-566 DOI：

ZHU Bing-jin, CHEN Ze-xiang, ZHANG Qiang, WANG Xiao-ju, YU Tao. Field Emission Characteristics of LaB<sub>6</sub> Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 561-566 DOI：

摘要

阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜

以提高场发射阴极性能

它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺

制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列

硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2μm

锥高约1.04μm

每个硅尖之间间隔6μm

尖端的曲率半径约50nm

锥角约56

#176;

尖锥阵列的密度约10

/cm

。为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力

通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧(LaB

)薄膜

薄膜的厚度大约50nm

锥尖曲率半径变为约111nm。X射线衍射(XRD)分析结果表明

电子束沉积在硅尖端的LaB

具有良好的结晶特性。硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射

I-V

特性及电流发射稳定性的测试结果表明:沉积LaB

的薄膜阴极阵列的总发射电流达到125μA

是纯硅尖锥阵列125倍。并且硅阵列六硼化镧薄膜具有良好的场发射稳定性

是一种理想的薄膜场发射阵列。

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