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在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜
论文 | 更新时间：2020-08-12

    • 在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜

    • p-type ZnO Thin Films Fabricated by dc Magnetron Reactive Sputtering Method at Different Substrate Temperatures

    • 发光学报   2008年29卷第3期 页码：491-494
    • 中图分类号： O472.3;O472.4

    • 收稿日期：2007-10-25，

      修回日期：2007-12-15，

      纸质出版日期：2008-05-20

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  • 简二梅, 叶志镇, 刘暐昌, 何海平, 顾修全, 朱丽萍, 赵炳辉. 在不同衬底温度下用直流反应磁控溅射法制备p型ZnO薄膜[J]. 发光学报, 2008,29(3): 491-494 DOI：

    JIAN Er-mei, YE Zhi-zhen, LIU Wei-chang, HE Hai-ping, GU Xiu-quan, ZHU Li-ping, ZHAO Bing-hui. p-type ZnO Thin Films Fabricated by dc Magnetron Reactive Sputtering Method at Different Substrate Temperatures[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(3): 491-494 DOI：

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郑州大学 物理工程学院材料物理教育部重点实验室
大连理工大学, 物理与光电工程学院
大连理工大学, 三束材料改性国家重点实验室
西北师范大学, 物理与电子工程学院, 甘肃, 兰州, 730070
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