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GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间:2020-08-11
    • GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

    • Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes

    • 发光学报   2007年28卷第6期 页码:885-889
    • 中图分类号: O482.31
    • 收稿日期:2006-12-25

      修回日期:2007-03-24

      纸质出版日期:2007-11-20

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  • 李梅, 李辉, 王玉霞, 刘国军, 曲轶. GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征[J]. 发光学报, 2007,28(6): 885-889 DOI:

    LI Mei, LI Hui, WANG Yu-xia, LIU Guo-jun, QU Yi. Research on Material Characteristics of GaAlAs/GaAs Superluminence Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2007,28(6): 885-889 DOI:

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中国科学院大学
中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 特种发光科学与技术全国重点实验室
中国科学院大学 材料科学与光电子工程中心
长春理工大学 重庆研究院
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