您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤
研究论文 | 更新时间:2020-08-11
    • 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤

    • Catastrophic Damage of High-power Semiconductor Quantum Well Laser During the Measurement

    • 发光学报   2002年23卷第5期 页码:477-480
    • 中图分类号: TN28.
    • 收稿:2002-04-03

      修回:2002-7-2

      纸质出版:2002-09-20

    移动端阅览

  • 曹玉莲, 王乐, 潘玉寨, 廖新胜, 程东明, 刘云, 王立军. 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤[J]. 发光学报, 2002,23(5): 477-480 DOI:

    CAO Yu-lian, WANG Le, PAN Yu-zhai, LIAO Xin-sheng, CHENG Dong-ming, LIU Yun, WANG Li-jun. Catastrophic Damage of High-power Semiconductor Quantum Well Laser During the Measurement[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2002,23(5): 477-480 DOI:

  •  
  •  
icon
试读结束,您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束,您可以通过登录账户,到个人中心,购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员?
去登录 >

0

浏览量

182

下载量

2

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据
0