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半导体量子点中弱耦合激子的性质
研究论文 | 更新时间:2020-08-11
    • 半导体量子点中弱耦合激子的性质

    • Properties of Weak-coupling Exciton in Polar Semiconductor Quantum Dot

    • 发光学报   2006年27卷第4期 页码:457-462
    • 中图分类号: O472.3;O469
    • 收稿日期:2005-08-20

      修回日期:2005-11-24

      纸质出版日期:2006-07-20

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  • 李志新, 肖景林. 半导体量子点中弱耦合激子的性质[J]. 发光学报, 2006,27(4): 457-462 DOI:

    LI Zhi-xin, XIAO Jing-lin. Properties of Weak-coupling Exciton in Polar Semiconductor Quantum Dot[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006,27(4): 457-462 DOI:

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李志新
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内蒙古大学 物理科学与技术学院
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