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MOCVD侧向外延GaN的结构特性
半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-11
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    • MOCVD侧向外延GaN的结构特性

    • Structural Characterization of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD

    • 发光学报   2005年26卷第6期 页码：748-752
    • 中图分类号： O472.3;O482.31

    • 收稿日期：2005-03-10，

      修回日期：2005-06-27，

      纸质出版日期：2005-11-20

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  • 方慧智, 陆敏, 陈志忠, 陆羽, 胡晓东, 杨志坚, 张国义. MOCVD侧向外延GaN的结构特性[J]. 发光学报, 2005,26(6): 748-752 DOI：

    FANG Hui-zhi, LU Min, CHEN Zhi-zhong, LU Yu, HU Xiao-dong, YANG Zhi-jian, ZHANG Guo-yi. Structural Characterization of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(6): 748-752 DOI：

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