在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

矫淑杰; 张振中; 吕有明; 申德振; 赵东旭; 张吉英; 姚斌; 范希武

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在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

研究快报 | 更新时间：2020-08-11

- 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管
- p-n ZnO Light-emitting Diode Fabricated on a-sapphire Substrate
- 发光学报 2005年26卷第4期页码：542-544
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院, 研究生院北京,100049
  2. 中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春,130033
  3. 中国科学院, 长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学重点基金(60336020);国家“863”计划,新材料领域(2001AA311120);中国科学院二期创新项目和国家自然科学基金(60176003,60278031,60376009)资助项目
- DOI：
  中图分类号： TN383.1
- 收稿日期：2005-06-25，
  
  修回日期：2005-07-19，
  
  纸质出版日期：2005-07-20
- 稿件说明：
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矫淑杰, 张振中, 吕有明, 申德振, 赵东旭, 张吉英, 姚斌, 范希武. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管[J]. 发光学报, 2005,26(4): 542-544

JIAO Shu-jie, ZHANG Zhen-zhong, LÜ You-ming, SHEN De-zhen, ZHAO Dong-xu, ZHANG Jiying, YAO Bin, FAN X W. p-n ZnO Light-emitting Diode Fabricated on a-sapphire Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 542-544
矫淑杰, 张振中, 吕有明, 申德振, 赵东旭, 张吉英, 姚斌, 范希武. 在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管[J]. 发光学报, 2005,26(4): 542-544 DOI：

JIAO Shu-jie, ZHANG Zhen-zhong, LÜ You-ming, SHEN De-zhen, ZHAO Dong-xu, ZHANG Jiying, YAO Bin, FAN X W. p-n ZnO Light-emitting Diode Fabricated on a-sapphire Substrate[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(4): 542-544 DOI：

摘要

用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管。在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的。在低温下

二极管的

I-V

特性曲线显示了典型的p-n结整流特性

并且具有很低的开启电压(4V)。在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光。

Abstract

A ZnO homo-junction light-emitting diode (LED) was fabricated on a-Al

substrate by plasma-assistant molecular beam epitaxy. NO plasma activated by a radio frequency atomic source was used to grow the p-type ZnO layer of the LED. The current-voltage measurements at low temperatures showed a typical (diode) characteristic with a threshold voltage about 4.0 V at forward bias. Electroluminescence band of the ZnO LED is located at the blue-violet region at 80 K

and the electroluminescence still can be observed up to 200 K.

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