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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)
研究论文 | 更新时间：2020-08-11
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    • 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)

    • High Quality GaN Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth Technique and Epitaxial Defects Observation

    • 发光学报   2005年26卷第1期 页码：72-76
    • 中图分类号： O472.3

    • 收稿日期：2004-05-28，

      修回日期：2004-07-08，

      纸质出版日期：2005-01-20

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  • 杨志坚, 胡晓东, 章蓓, 陆敏, 陆羽, 潘尧波, 张振声, 任谦, 徐军, 李忠辉, 陈志忠, 秦志新, 于彤军, 童玉珍, 张国义. 侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)[J]. 发光学报, 2005,26(1): 72-76 DOI：

    YANG Zhi-jian, HU Xiao-dong, ZHANG Bei, LU Min, LU Yu, PAN Yao-bo, ZHANG Zhen-sheng, REN Qian, XU Jun, LI Zhong-hui, CHEN Zhi-zhong, QIN Zhi-xin, YU Tong-jun, TONG Yu-zhen, ZHANG Guo-yi. High Quality GaN Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth Technique and Epitaxial Defects Observation[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005,26(1): 72-76 DOI：

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