镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

徐骏; 陈坤基; 黄信凡; 贺振宏; 韩和相; 汪兆平; 李国华

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镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究
- FABRICATION OF EMBEDDED NANO-CRYSTALLINE Ge AND ITS PHOTOLUMINESCENCE
- 发光学报 1999年20卷第3期页码：262-264
- 作者机构：
  
  1. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室, 南京大学物理系,江苏南京,210093
  2. 中国科学院半导体研究所超晶格物理国家重点实验室北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;江苏省自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： TN34.11;O462.3
- 收稿日期：1998-05-31，
  
  纸质出版日期：1999-08-30
- 稿件说明：
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徐骏, 陈坤基, 黄信凡, 贺振宏, 韩和相, 汪兆平, 李国华. 镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究[J]. 发光学报, 1999,20(3): 262-264

XU Jun, CHEN Kunji, HUANG Xinfan, HE Zhenhong, HAN Hexiang, WANG Zhaoping, LI Guohua. FABRICATION OF EMBEDDED NANO-CRYSTALLINE Ge AND ITS PHOTOLUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(3): 262-264
徐骏, 陈坤基, 黄信凡, 贺振宏, 韩和相, 汪兆平, 李国华. 镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究[J]. 发光学报, 1999,20(3): 262-264 DOI：

XU Jun, CHEN Kunji, HUANG Xinfan, HE Zhenhong, HAN Hexiang, WANG Zhaoping, LI Guohua. FABRICATION OF EMBEDDED NANO-CRYSTALLINE Ge AND ITS PHOTOLUMINESCENCE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(3): 262-264 DOI：

摘要

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅/氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法.研究结果表明:在经过氧化处理后

薄膜中的Si与O结合形成氧化硅同时单晶Ge被析出形成了镶嵌型的纳米Ge颗粒;在Ar

激光(488nm)的激发下

观察到了室温下的光致发光现象.发光峰中心位于2.2eV.由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强

且半高宽也显著变窄

表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布.

Abstract

In this paper

a new approach for preparing nanocrystalline Ge embedded in SiO

by oxidizing hydrogenated amorphous SiGe films and hydrogenated amorphous Si/amorphous Ge multilayers.It was shown that

after oxidation

Si was bonded to oxygen to form SiO

and nanocrystalline Ge was precipitated.Room temperature photoluminescence was observed by using Ar

laser(488nm)at RT-and the luminescent peak is located at 2.2eV.The sample started from multilayers has a stronger luminescent intensity and narrower width compared with the sample started from SiGe films

which suggested the size distribution of nc-Ge could be controlled in this structures.

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