掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光

陈维德; 马智训; 许振嘉; 何杰; 顾诠; 梁建军

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掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光
- STRONG ROOM-TEMPERATURE LUMINESCENCE AT 1.54μm FROM Er-IMPLANTED SiO_x
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：55-59
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所北京,100083
  2. 中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室北京,100080
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-04-22，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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陈维德, 马智训, 许振嘉, 何杰, 顾诠, 梁建军. 掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光[J]. 发光学报, 1999,20(1): 55-59

Chen Weide, Ma Zhixun, Xu Zhenjia, He Jie, Gu Quan, Liang Jianjun. STRONG ROOM-TEMPERATURE LUMINESCENCE AT 1.54μm FROM Er-IMPLANTED SiOx[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 55-59
陈维德, 马智训, 许振嘉, 何杰, 顾诠, 梁建军. 掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光[J]. 发光学报, 1999,20(1): 55-59 DOI：

Chen Weide, Ma Zhixun, Xu Zhenjia, He Jie, Gu Quan, Liang Jianjun. STRONG ROOM-TEMPERATURE LUMINESCENCE AT 1.54μm FROM Er-IMPLANTED SiOx[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 55-59 DOI：

摘要

采用等离子化学汽相淀积方法

改变SiH

和N

O的流量比制备含有不同氧浓度的SiO

.用离子注入方法将铒掺入SiO

经300～935℃快速热退火

在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光(PL).发光强度随氧含量和激发功率增加而增加

与SiO

的微结构有非常密切的关系。对可能的发光机理进行了讨论

Abstract

SiO

films with oxygen concentrations in the range 13～46% were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique using pure SiH

and N

O mixture. Erbium was then implanted at an energy of 500keV with dose of 2×10

ions/cm

. After annealing at temperature in the range 300～950℃

the samples show intense room-temperature luminescence peaked at around 1.54μm. The luminescence intensity increases with increasing oxygen concentration in the film. The Er luminescence depends strongly on the SiO

microstructure. The related mechanism for optical activation and emission was discussed.

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