GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化

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GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化

论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化
- OPTIMIZATION OF THICKNESS OF p-LAYER IN GaPⅩⅣN LED
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：1-3
- 作者机构：
  
  北京师范大学分析测试中心, 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室北京,100871
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-05-30，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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李桂英, 杨锡震, 王亚非, 李永良, 赵普琴, 孙寅官. GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化[J]. 发光学报, 1999,20(1): 1-3

Li Guiying, Yang Xizhen, Wang Yafei, Li Yongliang, Sun Yinguan. OPTIMIZATION OF THICKNESS OF p-LAYER IN GaPⅩⅣN LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 1-3
李桂英, 杨锡震, 王亚非, 李永良, 赵普琴, 孙寅官. GaPⅩⅣN LEDp型层Ⅹ厚度的优化[J]. 发光学报, 1999,20(1): 1-3 DOI：

Li Guiying, Yang Xizhen, Wang Yafei, Li Yongliang, Sun Yinguan. OPTIMIZATION OF THICKNESS OF p-LAYER IN GaPⅩⅣN LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 1-3 DOI：

实测数据表明:GaPⅩⅣN发光二极管(LED)p型层厚度d为12～17μm时

管芯光强最高.

增大

一方面可使表面复合的影响减小

提高内量子效率;另一方面又会使内吸收增大

降低抽取效率。综合考虑这两方面的影响

选取有关参数

对实测的d之优化值进行了合理的解释.

From the experimental results

it is clear that luminescence intensity of the wafer reaches the maximum

when the thickness of p-type layer (

) in a GaPⅩⅣN light emitting diode is in a range of 12～17μm. Increasing

the effect of the surface recombination might be compressed

making the internal quantum efficiency to be increased. At the same time

it might increase the internal absorption

resulting in a decrease of the extraction efficiency. Combining the two factors

and using the resonable values of the relevant parameters

a rational explanation for the optimum value of

measured experimentally is obtained.

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