无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

俞容文; 吕毅军; 郑健生

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无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系
- TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE DISORDERED Ga_0.52In_0.48P PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：22-24
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系,福建厦门,361005
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;福建省自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1998-05-30，
  
  纸质出版日期：1999-02-28
- 稿件说明：
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俞容文, 吕毅军, 郑健生. 无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系[J]. 发光学报, 1999,20(1): 22-24

Yu Rongwen, Lü Yijun, Zheng Jiansheng. TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE DISORDERED Ga0.52In0.48P PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 22-24
俞容文, 吕毅军, 郑健生. 无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系[J]. 发光学报, 1999,20(1): 22-24 DOI：

Yu Rongwen, Lü Yijun, Zheng Jiansheng. TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE DISORDERED Ga0.52In0.48P PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 22-24 DOI：

摘要

研究了无序GaInP样品的温度依赖关系。在低温PL谱中

谱线呈单峰结构。随着温度从15K升高到250K

谱线半宽从16meV增大到31meV

并且发生红移(52meV)

同时强度减小了两个数量级。对实验结果的拟合表明

在两个温度区存在着两个不同的激活能。温度小于100K

激活能为4meV;温度大于100K

激活能变为35meV.我们认为低温温度行为由带边载流子的热离化伴随的无辐射跃迁所控制

而高温区的特征激活能和跃迁几率取决于子晶格的无序度

Abstract

The integrated photoluminescence(PL) intensity of disordered Ga

0.52

0.48

P samples grown by metalorganic vapor phase epitaxy(MOVPE) have been measured as a function of temperature. The fitting to the integrated intensity shows two activation energies in two different temperature regions. Below 100K

the activation energy is about 4meV; above 100K

the activation energy is 35meV. We conclude that the low temperature PL behaviour is likely controlled by carriers thermalization from spatial fluctuations of the band edges followed by non-radiative recombination. The high temperature PL behaviour is suspected to be dominated by a nonradiative path whose characteristic activation energy and transition probability depends upon the degree of sublattice ordering.

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