干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较

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干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较
- THE COMPARISON OF Si-TIP FABRICATION METHODS BETWEEN DRY ETCHING AND WET ETCHING
- 发光学报 1998年19卷第3期页码：272-274
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院长春光学精密机械研究所, 长春 130022
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1998-08-30
- 稿件说明：
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王维彪, 金长春, 赵海峰, 王永珍, 殷秀华, 范希武, 梁静秋, 姚劲松. 干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较[J]. 发光学报, 1998,19(3): 272-274

Wang Weibiao, Jin Changcun, Zhao Haifeng, Wang Yongzhen, Yin Xiuhua, Fan Xiwu, Liang Jingqiu, Yao Jinsong. THE COMPARISON OF Si-TIP FABRICATION METHODS BETWEEN DRY ETCHING AND WET ETCHING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(3): 272-274
王维彪, 金长春, 赵海峰, 王永珍, 殷秀华, 范希武, 梁静秋, 姚劲松. 干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较[J]. 发光学报, 1998,19(3): 272-274 DOI：

Wang Weibiao, Jin Changcun, Zhao Haifeng, Wang Yongzhen, Yin Xiuhua, Fan Xiwu, Liang Jingqiu, Yao Jinsong. THE COMPARISON OF Si-TIP FABRICATION METHODS BETWEEN DRY ETCHING AND WET ETCHING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(3): 272-274 DOI：

主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈100〉晶面和〈111〉晶面的单晶硅衬底上制备硅微尖。结果表明干法刻蚀和〈111〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制备出顶端曲率半径比较小的硅微尖

通过实验

最后得到曲率半径10～20nm的硅微尖。

We fabricated Si-tips by dry etching 〈100〉 Si-substrate and by one step wet chemical etching 〈111〉 Si-substrate in solution of HF:HNO

O=1.5:15:5. The radii of Si-tips’top about 10～20nm were gotten after experiment.

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相关机构

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