InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性

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论文 | 更新时间：2020-08-11

- InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性
- OPERATING CHARACTEISSTICS OF InGaAsP/InGaP/GaAs SINGLE QUANTUM WELL HIGH POWER LASERS
- 发光学报 1998年19卷第2期页码：105-108
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;“863”计划资助;中国科学院院长基金资助项目
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1997-09-10，
  
  纸质出版：1998-05-30
- 稿件说明：
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刘育梅, 王立军, 武胜利, 刘云, 付德惠. InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性[J]. 发光学报, 1998,19(2): 105-108

Liu Yumei, Wang Lijun, Wu Shengli, Liu Yun, Fu Dehui. OPERATING CHARACTEISSTICS OF InGaAsP/InGaP/GaAs SINGLE QUANTUM WELL HIGH POWER LASERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(2): 105-108
刘育梅, 王立军, 武胜利, 刘云, 付德惠. InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性[J]. 发光学报, 1998,19(2): 105-108 DOI：

Liu Yumei, Wang Lijun, Wu Shengli, Liu Yun, Fu Dehui. OPERATING CHARACTEISSTICS OF InGaAsP/InGaP/GaAs SINGLE QUANTUM WELL HIGH POWER LASERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(2): 105-108 DOI：

利用低压-金属有机化学汽相沉积(LP-MOCVD)方法研制出InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子效率与腔长的关系.

InGaAsP/InGaP/GaAs single quantum well high power lasers was made by LP-MOCVD and the dependences of threshold current density

characterisitic temperature and reciprocal differential quantum efficiency on cavity length were researched.

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