低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱

于广友; 范希武; 张吉英; 杨宝均; 申德振; 吕有明

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低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱
- PREPARATION OF CdS ZnS STRAINED LAYER MUTIPLE QUANTUM WELLS
- 发光学报 1997年18卷第2期页码：95-99
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家攀登计划、国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放实验室资助
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1996-09-28，
  
  纸质出版日期：1997-05-30
- 稿件说明：
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于广友, 范希武, 张吉英, 杨宝均, 申德振, 吕有明. 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱[J]. 发光学报, 1997,18(2): 95-99

Yu Guangyou, Fan Xiwu, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen, Lü Youming. PREPARATION OF CdS ZnS STRAINED LAYER MUTIPLE QUANTUM WELLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 95-99
于广友, 范希武, 张吉英, 杨宝均, 申德振, 吕有明. 低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱[J]. 发光学报, 1997,18(2): 95-99 DOI：

Yu Guangyou, Fan Xiwu, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen, Lü Youming. PREPARATION OF CdS ZnS STRAINED LAYER MUTIPLE QUANTUM WELLS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 95-99 DOI：

摘要

本文报道了用低压(LP)-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱结构.通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构

并通过77K下的光致发光(PL)光谱

观测到了大的垒层对电子的限制效应及由大的应变引起的阱层带边变化所导致的发光峰蓝移.

Abstract

CdS-ZnS strained layer multiple quantum wells have been fabricated on the(100)GaAs substrate by LP-MOCVD. The satellite peaks of X-ray diffraction indicate the existence of a good crystallinity MQWs. PL spectrum at 77 K shows the strong luminescence peaks at 365 nm and 385 nm respectively

which shift to high energy side about 0.8 eV compared to the CdS single crystal. It indicates the existence of the quantum confinement effect and large band shift caused by large strain.

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