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1. 中国科学院长春物理研究所 长春,130021
2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室 长春,130021
纸质出版日期:1997-11-30
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王立军, 武胜利, 刘云, 付德惠, 刘育梅. 808nm无铝大功率量子阱激光器[J]. 发光学报, 1997,18(4): 360-362
Wang Lijun, Wu Shengli, Liu Yun, Fu Dehui, Liu Yumei. 808nm Al-FREE HIGH POWER LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(4): 360-362
王立军, 武胜利, 刘云, 付德惠, 刘育梅. 808nm无铝大功率量子阱激光器[J]. 发光学报, 1997,18(4): 360-362 DOI:
Wang Lijun, Wu Shengli, Liu Yun, Fu Dehui, Liu Yumei. 808nm Al-FREE HIGH POWER LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(4): 360-362 DOI:
报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW)
器件外微分量子效率为65%
阈值电流密度400A/cm
2
特征温度120℃
对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器
室温连续输出光功率达1瓦以上
并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性.
The operating characteristics of Al-free InGaAsP/GaAs separate confinement he terostructure single quantum well (SCH SQW) high power laser by LP-MOCVD are reported.The external different quantum efficiency 65%
threshold current density 400A/cm
CM output power 1W.
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