ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光

张吉英; 申德振; 杨宝均; 范希武; 郑著宏; 吕有明; 关郑平

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ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光

论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光
- BLUE-GREEN ZnSe LIGHT-EMITTING DIODES GROWN BY MOCVD
- 发光学报 1997年18卷第2期页码：110-114
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家863光电子主题;中国科学院激发态物理开放研究实验室资助
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1996-08-12，
  
  纸质出版日期：1997-05-30
- 稿件说明：
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张吉英, 申德振, 杨宝均, 范希武, 郑著宏, 吕有明, 关郑平. ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光[J]. 发光学报, 1997,18(2): 110-114

Zhang Jiying, Shen Dezhen, Yang Baojun, Fan Xiwu, Zheng Zhuhong, Lü Youming, Guan Zhengping. BLUE-GREEN ZnSe LIGHT-EMITTING DIODES GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 110-114
张吉英, 申德振, 杨宝均, 范希武, 郑著宏, 吕有明, 关郑平. ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光[J]. 发光学报, 1997,18(2): 110-114 DOI：

Zhang Jiying, Shen Dezhen, Yang Baojun, Fan Xiwu, Zheng Zhuhong, Lü Youming, Guan Zhengping. BLUE-GREEN ZnSe LIGHT-EMITTING DIODES GROWN BY MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 110-114 DOI：

摘要

用常压MOCVD方法制备了ZnSe pn结构.由电子束感生电流像表明pn结的存在;用发光和I-V等方法研究了二极管的特性;在77K正向偏压下观测到了以ZnCdSe-ZnSe量子阱为发光层的ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光.

Abstract

Light-emitting diodes(LEDs)having a ZnCdSe-ZnSe quantum well were grown by metal organic chemical vapour deposition(MOCVD)at a growth temperature of 430℃. Tert-butylamine(TBA)was used as a p-type dopant. ZnSe heterostructure diodes showed better voltage-current characteristics. The existence of ZnSe pn junction was showed by the electron beam induced current(EBIC)of a scanning electron microiscope. At 77K

blue-green light emission was observed at a wavelength of 465 nm at forward current.

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