SiO2玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)的光致发光研究

师文生; 张良莹; 姚熹

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SiO₂玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_1-xS)的光致发光研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- SiO₂玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_1-xS)的光致发光研究
- PHOTOLUMINESCENCE OF SOLID SOLUTION SEMICONDUCTOR(Zn_xCd_1-xS)DOPED SILICA GLASSES
- 发光学报 1997年18卷第2期页码：133-137
- 作者机构：
  
  西安交通大学电子材料研究室西安,710049
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“863”计划资助课题
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1996-10-26，
  
  纸质出版日期：1997-05-30
- 稿件说明：
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师文生, 张良莹, 姚熹. SiO2玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)的光致发光研究[J]. 发光学报, 1997,18(2): 133-137

Shi Wensheng, Zhang Liangying, Yao Xi. PHOTOLUMINESCENCE OF SOLID SOLUTION SEMICONDUCTOR(ZnxCd1-xS)DOPED SILICA GLASSES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 133-137
师文生, 张良莹, 姚熹. SiO2玻璃掺杂固溶半导体(ZnxCd1-xS)的光致发光研究[J]. 发光学报, 1997,18(2): 133-137 DOI：

Shi Wensheng, Zhang Liangying, Yao Xi. PHOTOLUMINESCENCE OF SOLID SOLUTION SEMICONDUCTOR(ZnxCd1-xS)DOPED SILICA GLASSES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(2): 133-137 DOI：

摘要

利用Sol-Gel工艺制备了掺杂固溶半导体Zn

1-x

S的SiO

玻璃.吸收光谱研究表明材料的吸收边随Zn含量的增加而向短波方向移动;温度提高有利于生成较完整的晶粒.以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应作了分析

认为光致发光光谱是由电子与空穴复合发光和表面态与缺陷的复合发光组成

电子-空穴复合发光分布在较大的波长范围内

并且随Zn含量的增加向短波方向移动

材料热处理温度提高有助于降低表面态与缺陷的复合发光强度.

Abstract

Solid solution semiconductor(Zn

1-x

S)doped sillica glasses were prepared by sol-gel process and in-situ technique. The absorption edge of above materials shift to short wavelength direction with increasing of Zn contents. The increase of heat treatment temperature is benefit to format of perfect microcrystallite. The photoluminescence spectra excited by short laser pulse consist of two parts: the first at about 500 nm is produced by recombination of electrons and holes which are trapped in the acceptor or donor energy level

and second at about 600 nm is raised from recombination of surface state and defect

also the former is distributed over longer wavelength range which shift to short wavelength direction with increasing of Zn contents

and the intensity of later is reduced by increasing of heat treatment temperature.

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