薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究

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薄膜电致发光器件中SiO₂层加速机制的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 薄膜电致发光器件中SiO₂层加速机制的研究
- STUDY ON ACCELERATING MECHANISM OF SiO₂ LAYER IN TFEL DEVICE
- 发光学报 1997年18卷第4期页码：289-291
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院结构分析开放实验室合肥,230026
  2. 中国科学技术大学物理系合肥,230026
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： TN383.1
- 纸质出版日期：1997-11-30
- 稿件说明：
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王平, 刘勇, 马义, 杨波, 楼立人, 夏上达. 薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究[J]. 发光学报, 1997,18(4): 289-291

Wang Ping, Liu Yong, Ma Yi, Yang Bo, Lou Liren, Xia Shangda. STUDY ON ACCELERATING MECHANISM OF SiO2 LAYER IN TFEL DEVICE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(4): 289-291
王平, 刘勇, 马义, 杨波, 楼立人, 夏上达. 薄膜电致发光器件中SiO2层加速机制的研究[J]. 发光学报, 1997,18(4): 289-291 DOI：

Wang Ping, Liu Yong, Ma Yi, Yang Bo, Lou Liren, Xia Shangda. STUDY ON ACCELERATING MECHANISM OF SiO2 LAYER IN TFEL DEVICE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997,18(4): 289-291 DOI：

研究非晶SiO

缺陷能级上电子的隧道效应

移植实验的XPS芯能级谱技术

用DV-Xα计算界面SiO

/ZnS的能带断错

认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制.

The tunneling effect of electrons in SiO

deep level provides partial electron sources which transport along SiO

extended state of conduct band.By imitation to experimental XPS-core-level-measure technology

we calculated the band offset in SiO

/ZnS interfere using DV-X α method.Due to this band offset

electrons obtain energy of about 2.3 eV while entering ZnS layer.

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