ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性

郑伟; 范希武; 吕有明; 郑著宏; 张吉英; 杨宝均; 申德振

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性
- CHARACTERIZATION OF NEAR BAND EDGE PHOTOLUMINESCENCE FOR ZnCdTe/ZnTe SUPERLATTICES
- 发光学报 1996年17卷第3期页码：210-214
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家攀登计划项目;国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-09-07，
  
  纸质出版日期：1996-08-30
- 稿件说明：
移动端阅览
郑伟, 范希武, 吕有明, 郑著宏, 张吉英, 杨宝均, 申德振. ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性[J]. 发光学报, 1996,17(3): 210-214

Zheng Wei, Fan Xiwu, Lu Youming, Zheng Zhuhong, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen. CHARACTERIZATION OF NEAR BAND EDGE PHOTOLUMINESCENCE FOR ZnCdTe/ZnTe SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(3): 210-214
郑伟, 范希武, 吕有明, 郑著宏, 张吉英, 杨宝均, 申德振. ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性[J]. 发光学报, 1996,17(3): 210-214 DOI：

Zheng Wei, Fan Xiwu, Lu Youming, Zheng Zhuhong, Zhang Jiying, Yang Baojun, Shen Dezhen. CHARACTERIZATION OF NEAR BAND EDGE PHOTOLUMINESCENCE FOR ZnCdTe/ZnTe SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(3): 210-214 DOI：

摘要

本文通过不同激发光强度下的光致发光实验

把Zn

0.67

0.33

Te/ZnTe超晶格(SLs)样品的两个发光谱峰分别归结为与激子有关的和导带电子到受主的辐射复合过程.为进一步了解样品的发光特性

做了不同温度下的光致发光实验

得到了两个谱峰在高温区的激活能

即:高能峰为127meV

低能峰为132meV.

Abstract

he two peaks of PL spectrum of Zn

0.67

0.33

Te/ZnTe superlattices are observed at 77 K and contributed to exciton related and free-to-bound radiative recombination transition

respectively.In order to get further information about the characterization of this sample

experiments of PL under different temperature have been developed.The activation energy of the two peaks in high temperature region has been obtained to be 127 meV and 132 meV

respectively.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱的发光特性

不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱

In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-Al_xGa_1-xN激活能的影响

用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_1-xS_x-ZnSe应变超晶格结构的研究