在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响

王永珍; 金长春; 吕贵进

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在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响
- INFLUENCE OF LOWERING AND CONSTANT TEMPERATURE ON DISTRIBUTION OF P AND Sb IN THE InAsPSb EPITAXY LAYERS GROWN BY LPE
- 发光学报 1996年17卷第2期页码：153-155
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所长春,130021
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1995-07-27，
  
  纸质出版日期：1996-05-30
- 稿件说明：
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王永珍, 金长春, 吕贵进. 在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响[J]. 发光学报, 1996,17(2): 153-155

Wang Yongzhen, Jin Changchun, Lü Guijin. INFLUENCE OF LOWERING AND CONSTANT TEMPERATURE ON DISTRIBUTION OF P AND Sb IN THE InAsPSb EPITAXY LAYERS GROWN BY LPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 153-155
王永珍, 金长春, 吕贵进. 在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响[J]. 发光学报, 1996,17(2): 153-155 DOI：

Wang Yongzhen, Jin Changchun, Lü Guijin. INFLUENCE OF LOWERING AND CONSTANT TEMPERATURE ON DISTRIBUTION OF P AND Sb IN THE InAsPSb EPITAXY LAYERS GROWN BY LPE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1996,17(2): 153-155 DOI：

摘要

采用LPE技术

生长出InAsPSb外延层

研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响。结果表明

用恒温方法生长时

外延层中P、Sb组分分布较为均匀

在脉冲电流激发下

得到了3.09μm激光输出。

Abstract

In this paper properties of InAsPSb epitaxy grown using both lowering and constant temperature LPE methods are studied.The solid composition of epitaxial layer was determined by EPMA analysis.The experimental result indicates

that the P and Sb content have almost a contant value for the epilayer grown by the constant temperature LPE method.The diodes were driven by current pulses with 10μs duration and 1 kHz.The laser emission with wavelength 3.09 μm was observed from single heterojunction made of p-InAs

0.82

0.12

0.06

and n-InAs substrate at 12 K.

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